研究活動・業績

2023年度

研究業績

学会誌論文

学会誌論文等：17件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (1533) Katsuhiro Tomioka, Kazuharu Sugita, and Junichi Motohisa: “Enhanced Light Extraction of Nano-Light-Emitting Diodes with Metal-Clad Structure Using Vertical GaAs/GaAsP Core-Multishell Nanowires on Si Platform”, Advanced Photonics Research, Vol. 4, No. 7, pp. 2200337-1-7 (2023).
  2. (1534) P. Srikram, P. Ambalathankandy, M. Motomura, and M. Ikebe: “A 0.5 V Modified Pseudo-Differential Current-Starved Ring-VCO with Linearity Improvement for IoT Devices” Proc. of 2023 International Electrical Engineering Congress (iEECON), pp. 219-223 (2023).
  3. (1535) H. Wang, Y. Ou, W. Fang, P. Ambalathankandy, N. Goto, G. Ota, T. Okino, J. Fukae, K. Sutherland, M. Ikebe, and T. Kamishima: “A deep registration method for accurate quantification of joint space narrowing progression in rheumatoid arthritis”, Computerized Medical Imaging and Graphics, Vol. 108, pp. 102273-1-11 (2023).
  4. (1536) Y. Hatakeyama, T. Narita, M. Bockowski, T. Kachi, and M. Akazawa: “Investigation of gap states near conduction band edge in vicinity of interface between Mg-ion-implanted GaN and Al2O3 deposited after ultra-high-pressure annealing”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 62, pp. SN1002-1-7 (2023).
  5. (1537) Kaito Nakama, Mitsuki Yukimune, Naohiko Kawasaki, Akio Higo, Satoshi Hiura, Akihiro Murayama, Mattias Jansson, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova, Fumitaro Ishikawa: “GaAs/GaInNAs core-multishell nanowires with a triple quantum well structure emitting in the telecommunication range”, Appl. Phys. Lett., Vol. 123, No. 8, pp. 081104-1-6 (2023).
  6. (1538) Mattias Jansson, V. V. Nosenko, G. Yu Rudko, F. Ishikawa, W. M. Chen, I. A. Buyanova: “Lattice dynamics and carrier recombination in GaAs/GaAsBi nanowires”, Scientific Reports, Vol. 13, pp. 12880-1-10 (2023).
  7. (1539) Hironori Gamo, Chen Lian, Junichi Motohisa, and Katsuhiro Tomioka: “Selective-Area Growth of Vertical InGaAs/GaSb Core-shell Nanowires on Silicon and Dual Switching Properties”, ACS Nano, Vol. 17, No. 18, pp. 18346-18351 (2023).
  8. (1540) R. Ochi, T. Togashi, Y. Osawa, F. Horikiri, H. Fujikura, K. Fujikawa, T. Furuya, R. Isono, M. Akazawa, and T. Sato: “Investigation of dominance in near-surface region on electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures using TLM, XPS, and PEC etching techniques”, Appl. Phys. Express, Vol. 16, No. 9, pp. 091002-1-4 (2023).
  9. (1541) Y. Luo, Y. Hatakeyama, and M. Akazawa: “Effects of low-temperature annealing on net doping profile of Mg-ion-implanted GaN studied by MOS capacitance-voltage measurement”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 62, No. 12, pp. 126501-1-6 (2023).
  10. (1542) Suman Mukherjee, Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa: “Polarization Dependence of Excitonic Emission from As-rich Single InAsxP1-x Quantum Dot Embedded in Free-standing InP Nanowire”, Nano World J., Vol. 9, No. S5, pp. S202-S205 (2023).
  11. (1543) 石川史太郎:「化合物半導体ナノワイヤの新材料開拓」, 応用物理, 93 巻, 1 号, pp. 24-28 (2024).
  12. (1544) Fumitaro Ishikawa: “Exploring novel compound semiconductor nanowires”, JSAP Review 2024, pp. 240403-1-6 (2024).
  13. (1545) Mattias Jansson, Valentyna V. Nosenko, Yuto Torigoe, Kaito Nakama, Mitsuki Yukimune, Akio Higo, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova: “High-Performance Multiwavelength GaNAs Single Nanowire Lasers”, ACS Nano, Vol. 18, pp. 1477-1484 (2024).
  14. (1546) Shinjiro Hara, Wei Dai, Ryoma Horiguchi, Wataru Kanetsuka, and Masashi Akabori: “Incremental Analysis of Magnetic Domains in Multiple Types of Ferromagnetic CoFe Nanolayer Patterns”, Phys. Status Solidi B, Vol. 261, No. 3, pp. 2300529-1-7 (2024).
  15. (1547) Masahiro Sasaki, Tomoya Akamatsu, Katsuhiro Tomioka, and Junichi Motohisa: “Size control of InP nanowires by in situ annealing and its application to the formation of InAsP quantum dots”, Nanotechnology, Vol. 35, No. 19, pp. 195604-1-8 (2024).
  16. (1548) Junichi Motohisa, Tomoya Akamatsu, Manami Okamoto, and Katsuhiro Tomioka: “Characterization of nanowire light-emitting diodes with InP/InAsP heterostructures emitting telecom band”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 63, No. 3, pp. 03SP08-1-6 (2024).
  17. (1549) T. Mitsuya, R. Lyu and S. Kasai: “A study on sensitivity to an embedded nanostructure in a micrometer-channel-length Si MOSFET”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 63, No. 3, pp. 03SP60-1-7 (2024).

著書

著書 ：0件

国内学会

国内学会における講演発表：40件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (1985) 中間海音, 行宗詳規, 峰久恵輔, 肥後昭男, 石川史太郎:「パターンSi 基板を用いた位置選択MBE 法によるGaAs 系ナノワイヤ配列・構造制御」, 第15 回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 山形市(2023).
  2. (1986) 橋本英季, 峰久恵輔, 中間海音, 谷川武瑠, 長島一樹, 柳田剛, 石川史太郎:「GaAs/AlGaAs コア-シェルナノワイヤ埋込構造における酸化プロセスと構造変形」, 第15 回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 山形市(2023).
  3. (1987) 峰久恵輔, 橋本英季, 中間海音, 石川史太郎:「近赤外域発光を示す2 インチSi(111)基板上GaInAs, GaNAs, およびGaInNAs ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長」, 第15 回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 山形市(2023).
  4. (1988) 森元祥平, 倉知龍太郎, 本久順一:「RF-MBE 選択成長法によるGaN ナノフィンの作製」, 第15 回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 山形市(2023).
  5. (1989) 竹田有輝, 蒲生浩憲, 本久順一, 冨岡克広:「SOI 上InAs ナノワイヤ選択成長と縦型トランジスタの作製」, 第15 回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 山形市(2023).
  6. (1990) 中間海音, 行宗詳規, 肥後昭男, 石川史太郎:「MBE 法による通信帯域発光波長を有するGaAs/GaInNAs/GaAs コアマルチシェルナノワイヤのパターン基板上VLS 成長」, 第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).
  7. (1991) 橋本英季, 峰久恵輔, 中間海音, 石川史太郎:「GaAs ナノワイヤにおける窒素パッシベーションとアニール処理の光学特性への影響」, 第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).
  8. (1992) 荒川竜芳, 梅西達哉, 齋藤聖哉, 香西優作, 富永依里子, 行宗詳規, 石川史太郎:「光学測定に基づく低温成長InyGa1-yAs1-xBix のバンド端ゆらぎの解析」, 第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).
  9. (1993) 竹田有輝, 蒲生浩憲, 本久順一, 冨岡克広:「SOI 上InAs ナノワイヤ選択成長と縦型トランジスタの作製」, 第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).
  10. (1994) 東佑樹, 鄭子ヨウ, 本久順一, 冨岡克広:「MOVPE 選択成長法によるウルツ鉱型InP薄膜成長と評価」, 第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).
  11. (1995) 吉田聖，葛西誠也:「アナログ電子アメーバの時定数と最適化問題解探索能力の関係」，第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).
  12. (1996) 大澤由斗, 赤澤正道, 佐藤威友:「GaNのコンタクトレス光電気化学（CL-PEC）エッチングにおける溶液pH の影響」，第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).
  13. (1997) 高津海, 佐藤威友:「p-GaN 表面層に対する低損傷PEC エッチングとその電気化学的評価(2)」，第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).
  14. (1998) 富樫拓也, 沖勇吾, 大澤由斗, 越智亮太, 赤澤正道, 佐藤威友:「AlGaN/GaN ヘテロ構造の光電気化学エッチングと反応速度の制御」，第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).
  15. (1999) 沖勇吾，富樫拓也，越智亮太，佐藤威友:「コンタクトレスPEC エッチングを用いたAlGaN/GaN HFET の素子間分離」，第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).
  16. (2000) 忽滑谷崇秀, 焦一寧，高津海, 佐藤威友, 赤澤正道: 「光電気化学エッチングを施したp-GaN を用いたMOS 構造のサブバンドギャップ光支援C-V 測定」, 第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).
  17. (2001) 焦一寧，忽滑谷崇秀, 赤澤正道: 「p-GaN MOS 構造界面特性の絶縁膜依存性」, 第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).
  18. (2002) 新藤源太, 畠山優希, 赤澤正道:「Mg イオン打ち込みしたGaN に対する850 ℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS 構造を用いた評価」, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).
  19. (2003) 羅宇瀏, 畠山優希, 赤澤正道:「Mg イオン注入後低温アニールを行ったGaN のMOS構造を用いた評価」, 第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).
  20. (2004) 畠山優希, 赤澤正道, 成田哲生, Michal Bockowski, 加地徹:「Mg イオン注入後超高圧アニールを行ったGaN のMOS 界面近傍伝導帯付近禁制帯準位の評価」, 第84 回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本市(2023).
  21. (2005) Y. Kozai, K. Kimura, T. Umenishi, S. Saito, Y. Tominaga, M. Yukimune, F. Ishikawa, N. Happo, and K. Hayashi: “Crystallographic characterization of lowtemperature-grown GaAsBi using X-ray fluorescence holography”, 第42 回電子材料シンポジウム, 奈良県橿原市(2023).
  22. (2006) H. Imabayashi, M. Umeda, K. Shiojima, T. Umenishi, Y. Tominaga, M. Yukimune, F. Ishikawa, and O. Ueda: “Photoelectrical Characterization of Low-Temperature-MBE-Grown GaAsBi Layers”, 第42 回電子材料シンポジウム, 奈良県橿原市, (2023).
  23. (2007) S. Morimoto, R. Kurachi, and J. Motohisa: “Study on the fabrication of GaN nanofins by RF-molecular-beam-epitaxy”, 第42 回電子材料シンポジウム, 奈良県橿原市, (2023).
  24. (2008) 冨岡克広:「(招待講演) Heterogeneous Integration of III-V Nanowires on Si and Their Applications」, ナノ学会合同シンポジウム、北九州市(2024).
  25. (2009) 富永依里子, 石川史太郎, 池永訓昭, 上田修:「（招待講演）THz 波発生検出素子応用に向けての低温成長Bi 系III-V 族半導体の結晶欠陥制御」, レーザー学会学術講演会第44 回年次大会, 東京(2024).
  26. (2010) 上田羽純, 葛西誠也:「セルオートマトンにおける1/f ゆらぎの生成と外乱の影響」, 令和5 年度IEICE 北海道支部学生会主催インターネットシンポジウム, オンライン(2024).
  27. (2011) 峰久惠輔, 橋本英李, 中間海音, 石川史太郎:「近赤外域で光吸収・発光特性を示すSi 上化合物半導体ナノワイヤ」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).
  28. (2012) 中間海音, 峰久惠輔, 橋本英李, 石川史太郎:「MBE法によるSi(111) 基板上GaAs ナノワイヤ核形成初期段階の検討」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).
  29. (2013) 飯田竜雅, 中間海音, 橋本英李, 峰久惠輔, 石川史太郎:「積層周期を変化させたGaAs/GaNAs コア-マルチシェル多重量子井戸構造ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).
  30. (2014) 後藤拓翔, 中間海音, 橋本英李, 峰久惠輔, 石川史太郎:「GaAs/GaInNAsSb コア-マルチシェルナノワイヤの分子線エピタキシャル成長」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).
  31. (2015) 橋本英季, 飯田竜雅, 後藤拓翔, 峰久惠輔, 中間海音, 石川史太郎:「GaAs 系ナノワイヤにおけるアニール処理温度が光学特性へ与える影響」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).
  32. (2016) 竹田有輝, 東佑樹, 鄭子, 本久順一, 冨岡克広:「SOI 上のInAs/Si ヘテロ接合トンネルFET の作製と評価」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).
  33. (2017) 古内久大、本久順一、佐藤威友:「コンタクトレスPEC エッチングを用いたGaN ナノワイヤ作製におけるマスク材料の検討」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).
  34. (2018) 松田一希, 葛西誠也:「粘菌型自律ロボットの行動発達に向けた歩行移動距離推定法の検討」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).
  35. (2019) 谷田部然治, 葛西誠也:「1/f 雑音の電子トラップ時定数分布」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).
  36. (2020) 呂任翔, 三ツ谷拓真, 葛西誠也:「Si MOSFET における埋込みナノ構造に対する感度の改善」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).
  37. (2021) 焦一寧, 忽滑谷崇秀, 高津海, 佐藤威友, 赤澤正道:「光電気化学エッチングを施したp-GaN MOS 界面の特性に対する界面形成プロセスの影響」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).
  38. (2022) 新藤源太, 畠山優希, 赤澤正道:「Mg イオン打ち込みしたGaN に対する850 ℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS 構造を用いた評価(2)」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).
  39. (2023) 羅宇瀏, 畠山優希, 赤澤正道:「Mg イオン注入後2 段階アニールを行ったGaN 中の伝導帯付近禁制帯準位のMOS 構造を用いた評価」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).
  40. (2024) 畠山優希, 加地徹, 赤澤正道:「Mg とN のイオン共注入後超高圧アニールを行ったGaN のMOS 界面近傍伝導帯付近禁制帯準位の評価」, 第71 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2024).

研究会等

研究会等における講演：11件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (362) 松田一希, 葛西誠也:「粘菌型最適化を用いた 4 脚自律ロボットにおける動作制約と歩行行動の関係」，電子情報通信学会電子部品・材料研究会/シリコン材料・デバイス研究会/電子デバイス研究会合同研究会，名古屋市(2023).
  2. (363) 高津海, 久保広大, 佐藤威友:「n 型 GaN 基板上に形成された p 型 GaN 層に対する低損傷光電気化学エッチングとその電気化学的評価」, 電子情報通信学会電子部品・材料研究会/シリコン材料・デバイス研究会/電子デバイス研究会合同研究会，名古屋市(2023).
  3. (364) 冨岡克広, 勝見悠, 本久順一:「(招待講演) 結晶相転移接合トランジスタの実証」, 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会, 広島市(2023).
  4. (365) 富樫拓斗, 小松純大, 池辺将之:「相補型バイアス制御による低電圧 VCO 型 ADC の高線形化」, 電子情報通信学会集積回路研究専門委員会/シリコン材料・デバイス研究会/情報センシング研究会合同研究会, 札幌市(2023).
  5. (366) 池辺将之:「（招待講演）グローバルシャッタ型テラヘルツイメージセンサとそのバラツキ補正手法」日本光学会年次大会 (OPJ 2023), 札幌市(2023).
  6. (367) 葛西誠也:「（招待講演）半導体とは～今, 何が起こっているのか～」, 令和 5 年度第 61 回北海道高等学校教育研究会理科部会物理分科会, 札幌市, (2024).
  7. (368) 葛西誠也:「（依頼講演）半導体の今と未来について」，道民向けセミナー「次世代半導体とほっかいどうの未来 in 苫小牧」, 苫小牧市(2024).
  8. (369) 葛西誠也:「（依頼講演）半導体の今と未来について」，道民向けセミナー「次世代半導体とほっかいどうの未来 in 函館」, 函館市(2024).
  9. (370) 葛西誠也:「（依頼講演）半導体の今と未来について」，道民向けセミナー「次世代半導体とほっかいどうの未来 in 札幌」, 札幌市(2024).
  10. (371) 池辺将之:「（招待講演）グローバルシャッタ型 CMOS THz イメージセンサのデジタル及びアナログ補正技術」, 日本学術振興会産学協力研究委員会「テラヘルツ波科学技術と産業開拓第 182 委員会」研究会, オンライン, (2024).

国際会議

国際会議における講演：46件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (1883) Suman Mukherjee, Tomioka Katsuhiro, and Junichi Motohisa: “Polarization dependence of quantum dot excitonic emission from As-rich InAsxP1-x/InP nanowire quantum dot embedded in free-standing InP nanowire”, 2023 IEEE International Conference on Nanoelectronics, Nanophotonics, Nanomaterials, Nanobioscience & Nanotechnology (5NANO 2023), Elanji, Ernakulam, Kerala, India, April 27-28 (2023).
  2. (1884) Mattias Jansson, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova: “Design Rules for an Efficient Photon Upconversion in Semiconductor Nanostructures”, 9th South African Conference on Photonic Materials, Skukuza, South Africa, May 8-12 (2023).
  3. (1885) R. Ochi, and T. Sato, “Influence of the parallel conduction on the current nonlinearity of GaN based MIS-HEMTs in the forward bias region”, 46th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, Palermo, Italy, May 21-25 (2023).
  4. (1886) I. A. Buyanova, F. Ishikawa, and W. M. Chen: “(Invited) Nanowires from highly mismatched alloys for nanophotonics”, International Conference on Nanophotonics and photovoltaics, Samarkand, Uzbekistan, May 23-27 (2023).
  5. (1887) Yuki Azuma, Shun Kimura, Hironori Gamo, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka: “Selective-area growth of wurtzite InP fin structure”, Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023), Jeju, Korea, May 29-June 2 (2023).
  6. (1888) Ziye Zheng, Shun Kimura, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka: “Fabrication of vertical light-emitting diodes using wurtzite InP/AlInP core-multishell nanowire”, Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023), Jeju, Korea, May 29-June 2 (2023).
  7. (1889) Fumitaro Ishikawa: “(Invited) Material Exploration and Wafer Scale Growth of GaAs Related Nanowires by Self-catalyzed Molecular Beam Epitaxy”, 11th International Conference on Materials for Advanced Technologies 2023 (ICMAT 2023), Singapore, June 28 (2023).
  8. (1890) M. Akazawa, Y. Luo, and Y. Hatakeyama: “Effects of Long-Term Low-Temperature Annealing on Lightly Mg-Implanted GaN,” 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT2023), Kyoto, Japan, June 8-9 (2023).
  9. (1891) S. Hara and M. Akabori: “(Invited) Magnetic Domain Analysis of CoFe/MgO Nanolayer Electrode Patterns for Spin-Injection into Semiconducting Nanowires”, 12th International Conference on Processing and Manufacturing of Advanced Materials (THERMEC 2023), Vienna, Austria, July 2-7 (2023).
  10. (1892) T. Yoshida and S. Kasai: “Readout of Voluntary Motion From Myoelectric Signals Based on Reservoir Computing Framework”, 2023 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2023), Yokohama, Japan, July 10-11 (2023).
  11. (1893) T. Hashizume, and T. Sato: “(Invited) MOS technologies for GaN power transistors”, 2023 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2023), Yokohama, Japan, July 10-11 (2023).
  12. (1894) Manami Okamoto, Tomoya Akamatsu, Katsuhiro Tomioka, and Junichi Motohisa: “Characterization of Nanowire Light-Emitting Diodes with InP/InAsP Heterostructures Emitting in Telecom Band”, 2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2023), Nagoya, Japan, September 5-8 (2023).
  13. (1895) S. Okuda, S. Yuzawa, M. Makino, W. Jevasuwan, N. Fukata, and S. Hara: “Control of Ge Nanowire Orientation in Selective-Area VLS Growth on Si (111)”, 2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2023), Nagoya, Japan, September 5-8 (2023).
  14. (1896) Y. Fujiwara, R. Ochiai, L. Zi, M. Akabori, and S. Hara: “Comparison of Magnetic Domain Formation in CoFe/MgO Nanolayer Patterns on SiO2/Si (111) and GaAs (001) Substrates”, 2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2023), Nagoya, Japan, September 5-8 (2023).
  15. (1897) Keisuke Minehisa, Hidetoshi Hashimoto, Kaito Nakama, Fumitaro Ishikawa: “Molecular Beam Epitaxial Growth of GaInAs, GaNAs and GaInNAs Nanowires over 2-inch Si(111) Substrate Showing Emission at Near Infrared Regime”, The 37th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2023), Madison, USA, September 18 (2023).
  16. (1898) Yoriko Tominaga, Koji Kimura, Seiya Saito, Minato Harada, Yusaku Kozai, Fumitaro Ishikawa, Naohisa Happo, and Kouichi Hayashi: “X-ray fluorescence holography of low-temperature-grown GaAs1-xBix”, International conference on complex orders in condensed matter, Evian-les-Bains, France, September 24-29 (2023).
  17. (1899) I. A. Buyanova, F. Ishikawa, and W. M. Chen: “(Invited) Nanowires from Dilute Nitride and Dilute Bismide Alloys for Nanophotonics”, 244th ECS Meeting, Gothenburg, Sweden, October 8-12 (2023).
  18. (1900) H. Hashimoto, K. Minehisa, K. Nakama, K. Nagashima, T. Yanagida, F. Ishikawa: “Enrolled Cylinder Transferred from Coalesced GaAs/Al-rich AlGaAs Core-Shell Nanowires through Native Oxidation”, Nanowire Week 2023, Atlanta, USA, October 9-13 (2023).
  19. (1901) Katsuhiro Tomioka, Hironori Gamo, Junichi Motohisa: “Integration of InGaAs/GaSb core-shell nanowires on Si by selective-area growth”, Nanowire Week 2023, Atlanta, USA, October 9-13 (2023).
  20. (1902) Ziye Zheng, Shun Kimura, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka: “Demonstration of wurtzite InP/AlInP core-multishell nanowire based light-emitting diodes”, Nanowire Week 2023, Atlanta, USA, October 9-13 (2023).
  21. (1903) Yuki Azuma, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka: “Selective-area growth of wurtzite InP nanowire and fin structures”, Nanowire Week 2023, Atlanta, USA, October 9-13 (2023).
  22. (1904) Yuki Takeda, Hironori Gamo, Katsuhiro Tomioka: “Selective-area growth of InAs nanowire on SOI substrate and vertical transistor application”, Nanowire Week 2023, Atlanta, USA, October 9-13 (2023).
  23. (1905) K. Nakama, K. Minehisa, A. Higo, F. Ishikawa: “Core-Multishell Nanowires of GaAs/GaInNAs Tripe Quantum Wells Emitting up to Telecommunication Wavelength 1.28 µm”, Nanowire Week 2023, Atlanta, USA, October 9-13 (2023).
  24. (1906) K. Minehisa, H. Hashimoto, K. Nakama, F. Ishikawa: “Molecular Beam Epitaxy of GaInNAs Nanowires over 2-inch Si(111) Substrate Operating at Near Infrared Regime”, Nanowire Week 2023, Atlanta, USA, October 9-13 (2023).
  25. (1907) Bin Zhang, Jan E. Stehr, Ping-Ping Chen, Xingjun Wang, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova: “Enhancing Efficiency of Second-Harmonic Generation in III-V Nanowires via Lattice Engineering”, IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (IEEE-NMDC), Paestum, Italy Oct. 22-25 (2023).
  26. (1908) S. Hara: “(Invited) Magnetic Domain Control in CoFe Nanolayer Electrodes toward Vertical Nanowire Spintronic Device”, 26th Hokkaido University-Seoul National University Joint Symposium, Sapporo, Japan, November 2 (2023).
  27. (1909) S. Yuzawa, S. Okuda, M. Makino, W. Jevasuwan, N. Fukata, and S. Hara: “Selective-Area VLS Growth of Ge Nanowires using Periodic Thin Film Pattern of Au Catalyst on Si (111)”, 26th Hokkaido University-Seoul National University Joint Symposium, Sapporo, Japan, November 2 (2023).
  28. (1910) R. Ochiai, Y. Fujiwara, L. Zi, M. Akabori, and S. Hara: “Magnetic Domains in CoFe/MgO Nanolayer Patterns Fabricated on Amorphous SiO2 and Single-Crystalline GaAs (001) Substrates”, 26th Hokkaido University-Seoul National University Joint Symposium, Sapporo, Japan, November 2 (2023).
  29. (1911) Kaito Nakama, Keisuke Minehisa, Akio Higo, Fumitaro Ishikawa: “GaAs/GaInNAs/ GaAs Core-Multishell Nanowires with Multiple Quantum-Wells Emitting at 1.2 µm for Telecommunications”, 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Fukuoka, Japan, November 12-17 (2023).
  30. (1912) Mattias Jansson, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova: “Energy upconversion in core/shell nanowire heterostructures based on dilute nitride alloys”, 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Fukuoka, Japan, November 12-17 (2023).
  31. (1913) U. Takatsu, K. Kubo, and T. Sato: “Low-damage Photo-electrochemical Etching and Electrochemical Characterization of p-GaN Surface”, 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Fukuoka, Japan, November 12-17 (2023).
  32. (1914) Y. Hatakeyama, G. Shindo, Y. Luo, and M. Akazawa: “Detection of Gap States Originated from Ga-Interstitial and Divacancy Defects in Mg-Implanted GaN Using MOS Structures”, 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Fukuoka, Japan, November 12-17 (2023).
  33. (1915) T. Nukariya, J. Yining, U. Takatsu, T. Sato, and M. Akazawa: “Interface Properties of p-type GaN MOS Structures Examined by Sub-Bandgap-Light-Assisted Capacitance-Voltage Measurement”, 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Fukuoka, Japan, November 12-17 (2023).
  34. (1916) T. Hashizume and M. Akazawa; “(Invited) MOS interface technologies for high-power and high-frequency GaN transistors”, 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Fukuoka, Japan, November 12-17 (2023).
  35. (1917) Prasoon Ambalathankandy, Masayuki Ikebe, and Sae Kaneko: “A Psychological Study: Importance of Contrast and Luminance in Color to Grayscale Mapping”, 31st Color and Imaging Conference (CIC31), Paris, France, November 13-17 (2023).
  36. (1918) Hidetoshi Hashimoto, Keisuke Minehisa, Kaito Nakama, Kazuki Nagashima, Takeshi Yanagida, Fumitaro Ishikawa: “Structural control of GaAs/AlGaAs core-shell nanowires with buried entire structure, native oxidation, and strain-induced deformations tuned by top-shell layer”, 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023), Sapporo, Japan, November 14-17 (2023).
  37. (1919) Ziye Zheng, Shun Kimura, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka: “Demonstration of vertical light-emitting diodes using wurtzite InP/AlInP core-multishell nanowires”, 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023), Sapporo, Japan, November 14-17 (2023).
  38. (1920) T. Mitsuya, R. Lyu, and S. Kasai: “Sensitivity to an embedded nanostructure in a micrometer-channel-length Si MOSFET”, 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023), Sapporo, Japan, November 14-17 (2023).
  39. (1921) S. Okuda, S. Yuzawa, M. Makino, W. Jevasuwan, N. Fukata, and S. Hara: “Aggregation Effect of Au Thin Film Catalysts on Controlling Selective-Area VLS Growth of Ge Nanowires on Si (111)”, 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023), Sapporo, Japan, November 14-17 (2023).
  40. (1922) T. Sato, and R. Ochi: “(Invited) Current Non-linearity of GaN-based MIS HEMTs in Forward Bias Region”, International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2023), Nagoya, Japan, December 1-3 (2023).
  41. (1923) Y. Hatakeyama, Y. Luo, G. Shindo, and M. Akazawa: “MOS-structure based study of defects in Mg-ion-implanted GaN”, International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2023), Nagoya, Japan, December 1-3 (2023).
  42. (1924) Masayuki Ikebe: “(Invited) Image Sensing Technologies”, 30th International Display Workshops (IDW ’23), Niigata, Japan, December 6-8 (2023).
  43. (1925) Prasoon Ambalathankandy, Yafei Ou, and Masayuki Ikebe: “Halo Reduction in Display Systems through Smoothed Local Histogram Equalization and Human Visual System Modeling”, 30th International Display Workshops (IDW ’23), Niigata, Japan, December 6-8 (2023).
  44. (1926) T. Sato, “(Keynote) Photoelectrochemical Etching of III-Nitride Semiconductors for Nanostructure Fabrication”, International Conference on Advanced Functional Materials and Devices (AFMD2024), Chennai, India, February 26-29 (2024).
  45. (1927) M. Akabori and S. Hara: “(Invited) Magnetic Domain Control of CoFe/MgO Nanolayer Patterns for III-V Semiconductor Spintronic Device Applications”, ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13, Nagoya, Japan, March 3-7 (2024).
  46. (1928) Yining Jiao, Takahide Nukariya, Umi Takatsu, Taketomo Sato, and Masamichi Akazawa: “Effects of SiO2-Cap Annealing Prior to Interface Formation on Properties of Al2O3/p-type GaN Interfaces,” ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13, Nagoya, Japan, March 3-7 (2024).

競争的研究資金

政府・民間からの助成金

政府・民間からの助成金
（金額は令和５年度分）

  1. NEDO，令和 2～5 年度，「ポスト 5G に向けたマルチモーダル情報の効率的活用と触診・遠隔医療技術への応用」，代表者：池辺 将之，31,395 千円．
  2. 科学技術振興機構：創発的研究推進事業，令和 3 年度～令和 5 年度，「半導体構造相転移材料の創成」，代表者：冨岡 克広，7,312 千円．
  3. 科学技術振興機構：戦略的創造研究推進事業 CREST，令和 5 年度～令和 10 年度，「縦型半導体ナノワイヤアレイ量子集積回路基盤技術の創成」，代表者：冨岡 克広，2,500 千円．
  4. 科学技術振興機構：先端国際共同研究推進事業 ASPIRE – 次世代のための ASPIRE，令和 5 年度～令和 8 年度，「III-V 族化合物半導体ナノ選択成長技術の確立とナノフォトニクス応用 (共同研究機関：オーストラリア国立大学)」，代表者：冨岡 克広，500 千円．
  5. 文部科学省科学技術試験研究委託事業「革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業(パワーデバイス領域)」，令和 3～7 年度，「社会実装を目指した GaN 縦型パワーデバイス作製技術の確立」，分担者：赤澤 正道，佐藤 威友（代表者：天野 浩），11,500 千円．
  6. 岩谷直治記念財団 岩谷科学技術研究助成，令和 5 年，「シリコン基板上大容量化合物半導体ナノワイヤによる大出力光電変換」，代表者：石川 史太郎，2,000 千円．
  7. SMBC GAP グラント賞 未来 X (mirai cross) 2023，令和 4 年～令和 5 年，「燃えない未来技術デバイスプラットフォーム」，代表者：冨岡 克広，2,000 千円．
  8. 公益財団法人旭硝子財団若手継続グラント，令和 5 年～令和 8 年，「ナノワイヤマルチモードスイッチとミリボルト駆動縦型立体集積システムの創成」，代表者：冨岡 克広，4,500 千円．
  9. 公益財団法人池谷科学技術振興財団単年度研究助成，令和 5 年度，「ナノワイヤマルチモードスイッチ素子と縦型立体集積システムの創成の開発」，代表者：冨岡 克広，2,000 千円．

共同研究

共同研究
（金額は令和５年度分）

  1. 民間との共同研究（Photoelectron Soul），「半導体フォトカソードに関する研究」，代表者：石川 史太郎．
  2. 民間との共同研究（BIPROGY），「圧力センサアレイを用いた触覚の定量化」，代表者：池辺 将之．
  3. 民間との共同研究（NEC），「センシングデバイスを駆動させる読み出し回路に関する研究」，代表者：池辺 将之．
  4. 民間との共同研究（住友化学），「GaN 用電気化学プロセスの検討」，代表者：佐藤 威友．
  5. 民間との共同研究（三菱電機），「GaN の光電気化学プロセス」，代表者：佐藤 威友．
  6. 民間との共同研究（住友化学），「イオン注入した GaN 結晶の表面近傍点欠陥評価」，代表者：赤澤 正道．
  7. 学術コンサルティング（メイビスデザイン），「センシング技術開発支援」，代表者：葛西 誠也．

科学研究費補助金

科学研究補助金
（金額は令和５年度分）

  1. 科学研究費補助金基盤研究(A), 令和 5～8 年度,「融合型電子材料ナノワイヤのマクロスケール機能開拓」, 代表者：石川 史太郎, 13,060 千円.
  2. 科学研究費補助金基盤研究(A), 令和 4～7 年度,「ナノワイヤハイブリッド集積デバイスの創成」, 代表者：冨岡 克広, 分担者：池辺 将之，10,200 千円.
  3. 科学研究費補助金基盤研究(A), 令和 3～8 年度,「超高圧合成透明ナノセラミックス」, 分担者：石川 史太郎 (代表者：入舩 徹男), 650 千円.
  4. 科学研究費補助金基盤研究(A), 令和 3～6 年度,「Si-Ge 系ヘテロ接合ナノワイヤによる縦型ナノワイヤ HEMT デバイスの開発」, 分担者：本久 順一, 冨岡 克広 (代表者：深田 直樹), 2,500 千円.
  5. 科学研究費補助金基盤研究(B)，令和 3～6 年度，「運動組織化と反射機能の電子化による筋電義手操作性の向上」，代表者：葛西 誠也, 1,900 千円.
  6. 科学研究費補助金基盤研究(B)，令和 5～7 年度，「窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発」，代表者：佐藤 威友, 分担者：赤澤 正道，9,620 千円.
  7. 科学研究費補助金基盤研究(B), 令和 3～6 年度,「低温成長による点欠陥密度の制御に基づく Bi 系 III-V 族半導体の発現機能の最大活用」, 分担者：石川 史太郎 (代表者：富永 依里子), 832 千円.
  8. 科学研究費補助金国際共同研究加速基金（国際共同研究強化(B)），令和 3～7 年度，「光通信を革新する新希釈窒素・希釈ビスマス量子ナノ光源の開拓」，代表者: 石川 史太郎, 2,600 千円.
  9. 科学研究費補助金基盤研究(B)，令和 3～6 年度, 「超ワイドギャップ AlN 系半導体を用いたパワートランジスタの開発」, 分担者：佐藤 威友 (代表者：三好 実人), 650 千円.
  10. 科学研究費補助金挑戦的研究（萌芽），令和 5～6 年度，「論文からの化学反応プロセス情報の自動抽出とその活用」，分担者: 原 真二郎 (代表者: 吉岡 真治), 1,040 千円.
  11. 科学研究費補助金基盤研究(C), 令和 3～5 年度,「関節リウマチ破壊性変化定量解析システムの妥当性評価」，分担者：池辺 将之 (代表者：神島 保), 100 千円.

知的財産権

特許登録

特許登録

  1. 特許出願（米国）18/140,426 「解探索システム, 解探索方法及び解探索プログラム」, 発明者：青野真士, 葛西誠也, 大古田香織, 福田慎悟, 出願人：Amoeba Energy, 北海道大学, 出願日：2023 年4 月27 日.

自己点検評価

自己点検・評価

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