研究活動・業績

2012年度

研究業績

学会誌論文

学会誌論文等：17件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (1157) Y. Hori, C. Mizue, and T. Hashizume: ” Interface state characterization of ALD.Al2O3/GaN and ALD-Al2O3/AlGaN/GaN structures, “Physica Status Solidi C 9, pp.1356-1360 (2012).
  2. (1158) S. F. A. Rahman, S. Kasai, and A. M. Hashim:”Room temperature nonlinear oper.ation of a graphene-based three-branch nano junction device with chemical doping, ” Appl. Phys. Lett., Vol. 100, pp.193116-1-4 (2012).
  3. (1159) 橋詰　保、 GaN電子デバイスにおける絶縁膜界面制御（最近の展望）、応用物理、 81巻、pp.479-484 (2012).
  4. (1160) S. Kim, Y. Hori, W.-C. Ma, D. Kikuta, T. Narita, H. Iguchi, T. Uesugi, T. Kachi, and T. Hashizume: ” Interface properties of Al2O3/n-GaN structures with inductively coupled plasma etching of GaN surfaces, ” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 51, pp. 060201-1-3 (2012).
  5. (1161) S. F. A. Rahman, A. M. Hashim, and S. Kasai: ” Identi.cation of Graphene Layer Numbers from Color Combination Contrast Image for Wide-Area Characterization,” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 51, pp. 06FD09-1-5 (2012).
  6. (1162) T. Muramatsu, K. Miura, Y. Shiratori, Z. Yatabe, and S. Kasai: ” Characterization of Low-Frequency Noise in Etched GaAs Nanowire Field-E.ect Transistors Having SiNx Gate Insulator, ” Jpn. J. Appl. Phys., Vol.51, pp. 06FE18-1-5 (2012).
  7. (1163) R. Jinbo, T. Kudo, Z. Yatabe and T. Sato: ” Large photocurrent-response observed at Pt/InP Schottky interface formed on anodic porous structure, “Thin Solid Films, Vol. 520, pp. 5710-5714 (2012).
  8. (1164) C.-Y. Hu and T. Hashizume: ” Non-localized trapping e.ects in AlGaN/GaN het.ero junction .eld-e.ect transistors sub jected to on-state bias stress, “J. Appl. Phys., Vol. 111, pp. 084504-1-9 (2012).
  9. (1165) T. Yoshida and T. Hashizume: ” Studies on atomic layer deposition Al2O3/ In0.53Ga0.47As interface formation mechanism based on air-gap capacitance-voltage method, ” Appl. Phys. Lett. 101, pp. 122102-1-4 (2012).
  10. (1166) M. Akazawa and T. Nakano: ” Investigation of native oxide layers on untreated and chemically treated InAlN surfaces by X-ray photoelectron spectroscopy, “ECS Solid State Letters, Vol. 1, No. 1, pp.P4-P6 (2012).
  11. (1167) M. Akazawa and T. Nakano: ” Valence band o.set at Al2O3/In0.17Al0.83N interface formed by atomic layer deposition, ” Appl. Phys. Lett., Vol. 101, pp. 122110-1-4 (2012).
  12. (1168) K. Tomioka, M. Yoshimura, and T. Fukui: ” A III-V nanowire channel on Si for high performance vertical transistors, “Nature, Vol. 488, pp.189-192 (2012)
  13. (1169) K. Ikejiri, F. Ishizaka, K. Tomioka, and T. Fukui: ” Bidirectional Growth of Indium Phosphide Nanowires, ” Nano Letters, Vol. 12, pp.4770-4774 (2012).
  14. (1170) Tomotsugu Ishikura, Takahiro Hiraki, Takashi Matsuda, Joungeob Lee, and Kanji Yoh:” Nuclear spin polarization by out-of-plane spin injection from ferromagnet into an InAs heterostructure, ” MRS Proceedings, 1396 : mrsf11-1396-o07-29, 5 pages (2012).
  15. (1171) Liumin Zou, Keita Konishi, Morihisa Hoga, and Kanji Yoh:”Fabrication of Graphene Network via nanoimprint Technology, “MRS Proceedings, 1407 : mrsf11-1407-aa05.81, 4 pages (2012).
  16. (1172) T. Otsuji, S. Albon Boubanga Tombet, A. Satou, H. Fukidome, M. Suemitsu, E. Sano, V. Popov, M. Ryzhii, and V. Ryzhii: ” Graphene materials and devices in terahertz science and technology, “MRS Bulletin, Vol. 37, pp. 1235-1243 (2012).
  17. (1173) M. Matys, B. Adamowicz, and T. Hashizume: ” Determination of the deep donor-like interface state density distribution in metal/Al2O3/n-GaN structures from the photocapacitance-light intensity measurement, ” Appl. Phys. Lett., Vol. 101, pp. 231608-1-4 (2012).
  18. (1174) K. Takahagi, Y. Otsu, and E. Sano: ” 2.45 GHz high-gain electrically small antenna with composite right/left-handed ladder structure, ” Electron. Lett., Vol. 48, pp. 971-972 (2012).
  19. (1175) Yuya Takatsuka, Kazuhiro Takahagi, Eiichi Sano, Victor Ryzhii, and Taiichi Otsuji: ” Gain enhancement in graphene terahertz ampli.ers with resonant structures, “J. Appl. Phys., Vol. 112, pp. 033103-1-4 (2012).
  20. (1176) T. Otsuji, S. A. Boubanga Tombet, A. Satou, H. Fukidome, M. Suemitsu, E. Sano, V. Popov, M. Ryzhii, and V. Ryzhii: ” Graphene-based devices in terahertz science and technology, “J. Phys. D: Appl. Phys., Vol. 45, pp. 303001-1-9 (2012).
  21. (1177) T. Tanaka, K. Mori, E. Sano, B. Fugetsu, and H. Yu:”The Luttinger-liquid behavior in single-walled carbon nanotube networks, ” Physica E, Vol. 44, pp. 997-1001 (2012).
  22. (1178) Shinjiroh Hara, Shinya Sakita, and Masatoshi Yatago: ” Selective-Area Growth and Electrical Characterization of Hybrid Structures between Semiconducting GaAs Nanowires and Ferromagnetic MnAs Nanoclusters, ” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 51, pp. 11PE01-1-7 (2012).
  23. (1179) Kazuhiro Takahagi, Hiromichi Matsushita, Tomoki Iida, Masayuki Ikebe, Yoshi.hito Amemiya, and Eiichi Sano: ” Low-power wake-up receiver with subthreshold CMOS circuits for wireless sensor networks, “Analog Integrated Circuits and Signal Processing, Vol. 75, pp. 199 -205 (2012).
  24. (1180) Z. Yatabe, Y. Hori, S. Kim, and T. Hashizume: ” E.ects of Cl2-Based Inductively Coupled Plasma Etching of AlGaN on Interface Properties of Al2O3/AlGaN/GaN Heterostructures, ” Appl. Phys. Express, Vol. 6, pp. 016502-1-3 (2013).
  25. (1181) Yoshinori Kohashi, Shinya Sakita, Shinjiroh Hara, and Junichi Motohisa: ” Pitch-Independent Realization of 30-nm-Diameter InGaAs Nanowire Arrays by Two-Step Growth Method in Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy, ” Appl. Phys. Express, Vol. 6, pp. 025502-1-3 (2013).
  26. (1182) Y. Masumoto, K. Goto, S. Tomimoto, P. Mohan, J. Motohisa, and T. Fukui: ” Bi.molecular interlayer scattering of electrons in InP/InAs/InP core-multishell nanowires, “Journal of Luminescence, Vol. 133, pp.135-137 (2013)
  27. (1183) K. Ikejiri, F. Ishizaka, K. Tomioka, and T. Fukui: ” GaAs nanowire growth on polycrystalline silicon thin .lms using selective-area MOVPE, “Nanotechnology, Vol. 24, pp.115304-1-6 (2013).

著書

著書 ：６件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (32) 陽完治 :「グラフェン薄膜トランジスタ」 ,「グラフェンが拓く材料の新領域」 pp. 139-145 (NTS,東京, 2012年 6月).
  2. (33) 佐野栄一 :「RF回路と論理回路への適用」 ,「グラフェンが拓く材料の新領域」 pp. 156-165 (NTS,東京, 2012年 6月).
  3. (34) 佐野栄一 :「グラフェントランジスタの論理回路応用」尾辻泰一監修 ,「グラフェンの最先端技術と拡がる応用」 pp. 144-153 (フロンティア出版,東京, 2012年 7月).
  4. (35) S. N. Yanushkevich, S. Kasai, G. Tangim, A. H. Tran, T. Mohamed, and V. P. Smerko:”Introduction to Noise-Resilient Computing, “Synthesis Lectures on Digital Circuits and Systems, Morgan & Claypool publishers (152 pages) (2013).
  5. (36) 福井孝志 (監修 ):「ナノワイヤ最新技術の基礎と応用展開」 (シーエムシー出版 ,東京 , 2013年 3月）.
  6. (37) 原真二郎 :「強磁性体／半導体複合ナノワイヤ」 ,「第 1編第 8章ナノワイヤ最新技術の基礎と応用展開」pp. 91-102,（CMC出版,東京, 2013).

国内学会

国内学会における講演発表：６６件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (1310) 冨岡克広 ,吉村正利 ,中井栄治 ,遠藤隆人 ,石坂文哉 ,池尻圭太郎 ,福井孝志：「Si上の GaAs/InGaPコアマルチシェルナノワイヤ選択成長」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  2. (1311) 冨岡克広 ,吉村正利 ,福井孝志：「Si/InGaAsヘテロ接合によるトンネルトランジスタの作製」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  3. (1312) 石坂文哉 ,池尻圭太郎 ,冨岡克広 ,福井孝志：「InGaPナノワイヤの選択成長と組成評価」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  4. (1313) 遠藤隆人 ,中井栄治 ,吉村正利 ,冨岡克広 ,福井孝志：「InPナノワイヤアレイの剥離とフレキシブル素子への応用」第 73回応用物理学術講演会,松山 (2012).
  5. (1314) 中井栄治 ,吉村正利 ,冨岡克広 ,福井孝志：「InGaP/GaAsコアマルチシェルナノワイヤアレイ太陽電池」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  6. (1315) 吉村正利 ,中井栄治 ,冨岡克広 ,福井孝志：「InP/AlInPナノワイヤアレイ太陽電池の改善と結晶解析」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  7. (1316) 池尻圭太郎 ,石坂文哉 ,冨岡克広 ,福井孝志：「InPナノワイヤの双方向成長機構」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  8. (1317) 福井孝志 ,ホンヨンジュン：「van der Waals Heteroepitaxy of InAs Nanowires on Single-Layer Graphene」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  9. (1318) 小橋義典 ,崎田晋哉 ,原真二郎 ,本久順一：「2段階 MOVPE選択成長による極微細・位置制御 InGaAsナノワイヤの形成」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  10. (1319) 柳瀬祥吾 ,小橋義典 ,池尻圭太郎 ,原真二郎 ,本久順一：「111A面上への SAMOVPE成長における InPナノワイヤの 3方向成長」第 73回応用物理学会学術講演会 ,松山 (2012).
  11. (1320) 堀祐臣 ,橋詰保：「Al2O3/AlGaN/GaN HEMTの電気特性と MOS界面準位の評価」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  12. (1321) 東石直樹 ,橋詰保：「電気化学プロセスによる AlGaNの表面制御」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  13. (1322) 金聖植 ,堀祐臣 ,橋詰保：「ICPエッチ GaN表面に形成した MOS構造の界面制御」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  14. (1323) 中野智 ,橋詰保：「自立基板上 GaNエピ層に形成したショットキー接合の評価」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  15. (1324) 馬万程 ,堀祐臣 ,谷田部然治 ,橋詰保：「AlGaN/GaNヘテロ構造に形成した MOS界面の評価」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  16. (1325) 神保亮平 ,今井雄大 ,谷田部然治 ,佐藤威友 :「ポリスチレン微小球の自己組織化配列とリソグラフィ技術を利用した半導体加工基板の作製」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  17. (1326) 熊崎祐介 ,工藤智人 ,谷田部然治 ,佐藤威友 :「pn接合基板上に形成した InP多孔質構造の光学応答特性の評価」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  18. (1327) 黒田亮太 ,田中貴之 ,佐藤将来 ,葛西誠也 :「GaAsナノワイヤ FET集積しきい値論理回路の試作と評価」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  19. (1328) 今井裕理 ,葛西誠也 :「確率共鳴を利用した生体信号検出ナノデバイスの検討」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  20. (1329) 佐藤将来 ,葛西誠也 :「光照射局所コンダクタンス変調法を用いた GaAsナノワイヤ３分岐接合デバイスの非線形特性評価」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  21. (1330) 殷翔 ,ファズリ　シャハリン ,葛西誠也：「グラフェン３分岐ナノ接合デバイスの試作とインバータ応用の検討」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  22. (1331) 小西敬太 ,陽完治 :「SiC上のエピタキシャルグラフェンへのスピン注入 (II)」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  23. (1332) 平木隆浩 ,小西敬太 ,石倉丈継 ,陽完治 :「半導体上への垂直磁化膜の作製と評価」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  24. (1333) 石倉丈継 , Zhixin Cui,陽完冶 :「FM/InAsヘテロ構造におけるスピン注入の非局所検出」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  25. (1334) 崔志欣 , Fauzia Jabeenb, J.-C. Harmandb,陽完治 :「 δドープ InP/InAs/InPコアシェルナノワイヤトランジスタの作製と評価」第 73回応用物理学会学術講演会 ,松山 (2012).
  26. (1335) 中野拓真 ,赤澤正道 :「InAlN表面に対する弗化水素酸処理の効果」第 73回応用物理学会学術講演会,松山 (2012).
  27. (1336) 久保圭史 ,高萩和宏 ,池辺将之 ,雨宮好仁 ,佐野栄一 :「低電力 PWMクロックデータ再生回路」2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会,富山 (2012).
  28. (1337) 和田敏輝 ,高萩和宏 ,池辺将之 ,雨宮好仁 ,佐野栄一 :「60 GHz帯ディテクタの設計・評価」2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会,富山 (2012).
  29. (1338) 大津雄太郎 ,高萩和宏 ,佐野栄一 :「左手系小型アンテナの設計と評価」 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会,富山 (2012).
  30. (1339) 田中遥 ,佐野栄一 :「多層グラフェンの導電率の温度依存性」 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会,富山 (2012).
  31. (1340) 田中朋 ,佐野栄一 ,古月文志 :「プレス加工カーボンナノチューブネットワークの低周波雑音」2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会,富山 (2012).
  32. (1341) 綿貫雄仁 ,田中朋 ,佐野栄一 ,古月文志 :「カーボンファイバおよび CNT添加カーボンファイバの低周波雑音」2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会,富山 (2012).
  33. (1342) 吉岡真治 , Thaer Moustafa Dieb,原真二郎：「ナノ知識探索プロジェクト：ナノデバイス開発記録からの知識発見」Designシンポジウム 2012,京都 (2012).
  34. (1343) 冨岡克広 ,吉村正利 ,中井栄治 ,遠藤隆人 ,福井孝志：「III-V族化合物半導体ナノワイヤ選択成長と太陽電池応用（招待講演）」第 42回結晶成長国内会議 (NCCG-42),春日 (2012).
  35. (1344) 冨岡克広 ,福井孝志：「III-V族化合物半導体ナノワイヤ成長と応用（招待講演）」第 42回結晶成長国内会議 (NCCG-42),春日 (2012).
  36. (1345) 神保亮平 ,渡部晃生 ,佐藤威友 :「InP多孔質構造孔壁表面の機能化による光電変換素子への応用」第 48回応用物理学会北海道支部 /第９回日本光学会北海道地区合同学術講演会,釧路 (2013).
  37. (1346) 藤曲央武 ,崎田晋哉 ,原真二郎：「MnAsナノクラスタ及び InAsナノワイヤによるヘテロ構造の選択成長と構造評価」第 48回応用物理学会北海道支部 /第９回日本光学会北海道地区合同学術講演会 ,釧路 (2013).
  38. (1347) 崎田晋哉 ,藤曲央武 ,原真二郎：「SA-MOVPE法による Al2O3絶縁膜上の AlGaAsナノ構造の成長と評価」第 48回応用物理学会北海道支部 /第９回日本光学会北海道地区合同学術講演会 ,釧路 (2013).
  39. (1348) 阿部遊子 ,田中貴之 ,葛西誠也：「電子的ブラウンラチェットに向けた複数非対称ゲートナノワイヤ素子の作製と評価」第 48回応用物理学会北海道支部 /第９回日本光学会北海道地区合同学術講演会 ,釧路 (2013).
  40. (1349) 葛西誠也 ,田所幸浩 ,一木輝久 :「最適非線形素子による低 SN比信号検出の実験実証」2013年電子情報通信学会総合大会,岐阜 (2013)．
  41. (1350) 金基秀 ,内田大輔 ,池辺将之 ,本久順一 ,佐野栄一 :「11bit 5.1 μ W複数位相型 TDC付きマルチスロープ ADC」2013年電子情報通信学会総合大会,岐阜 (2013)．
  42. (1351) 平石一貴 ,和田敏輝 ,久保圭史 ,大津雄太郎 ,池辺将之 ,佐野栄一 :「無線センサ用低電力小型送信モジュール」2013年電子情報通信学会総合大会,岐阜 (2013)．
  43. (1352) 大津雄太郎 ,久保圭史 ,池辺将之 ,佐野栄一 :「2.4 GHz帯整流回路の試作と評価」 2013年電子情報通信学会総合大会,岐阜 (2013)．
  44. (1353) 田中遥 ,佐野栄一 :「CVD成長単層グラフェン FETの伝導機構」 2013年電子情報通信学会総合大会,岐阜 (2013)．
  45. (1354) 田中朋 ,佐野栄一 ,古月文志 :「CNT Buckypaperの伝導機構」 2013年電子情報通信学会総合大会,岐阜 (2013)．
  46. (1355) 綿貫雄仁 ,田中朋 ,佐野栄一 ,古月文志 :「炭素繊維および CNT添加炭素繊維の低周波雑音 (その 2)」2013年電子情報通信学会総合大会,岐阜 (2013)．
  47. (1356) 谷田部然治 ,堀祐臣 ,馬万程 ,橋詰保：「ドライエッチングが AlGaN/GaN MOS構造の界面に与える影響」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).
  48. (1357) 赤澤正道 ,橋詰保：「InAlN/GaNヘテロ構造の表面・界面の評価と制御 (招待講演 )」第 60回応用物理学関係連合講演会シンポジウム,厚木 (2013).
  49. (1358) 堀祐臣 ,谷田部然治 ,橋詰保：「AlGaN/GaN MOS-HEMTの電気特性とヘテロ MOS界面評価」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).
  50. (1359) 馬　万程 ,堀　祐臣 ,谷田部然治 ,橋詰保：「緩衝層が GaN接合特性に与える影響」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).
  51. (1360) 熊崎祐介 ,渡部晃生 ,谷田部然治 ,神保亮平 ,佐藤威友 :「電気化学的手法による GaN多孔質構造の形成と光学特性の評価」第 60回応用物理学関係連合講演会 ,厚木 (2013).
  52. (1361) 藤曲央武 ,崎田晋哉 ,原真二郎：「InAsナノワイヤ上の強磁性体 MnAsナノクラスタ複合構造の作製と評価」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).
  53. (1362) 崎田晋哉 ,藤曲央武 ,原真二郎：「MOVPE選択成長法による Al2O3絶縁膜上の AlGaAsナノワイヤの作製と評価」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).
  54. (1363) 小橋義典 ,原真二郎 ,本久順一：「InGaAsナノワイヤの選択成長における V/III比の影響」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).
  55. (1364) 佐藤将来 ,葛西誠也：「SiNx膜を用いた GaAsナノワイヤ 3分岐接合デバイスの表面状態と非線形動作機構の関連性についての検討」第 60回応用物理学関係連合講演会 ,厚木 (2013).
  56. (1365) 黒田亮太 ,葛西誠也：「SiN/AlGaAs/GaAsナノワイヤ FETのしきい値制御」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).
  57. (1366) 葛西誠也 ,田中貴之 ,今井裕理：「ゆらぎとエネルギー散逸を利用する非平衡電子デバイス」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).
  58. (1367) 冨岡克広 ,吉村正利 ,福井孝志：「InAs/Siヘテロ接合を用いた p型トンネル FETの試作」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).
  59. (1368) 吉村正利 ,中井栄治 ,冨岡克広 ,福井孝志：「ITO/p-InPヘテロ接合ナノワイヤアレイ太陽電池」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).
  60. (1369) 小西敬太 ,陽完治：「SiC上のエピタキシャルグラフェンへのスピン注入 (III)」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).
  61. (1370) 平木隆浩 ,石倉丈継 ,小西敬太 ,崔志欣 ,陽完治：「半導体上への垂直磁化膜の作製と評価 (2)」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).
  62. (1371) 石倉丈継 , Lennart-Knud Liefeith,崔志欣 ,小西敬太 ,陽完治：「NiFe/MgOから InAs量子井戸構造におけるスピン注入の高効率化」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).
  63. (1372) 崔志欣 , Jabeen Fauzia, Harmand Jean-christophe,陽完治：「 δドープ InP/InAs/InPコアシェルナノワイヤにおける電子スピン伝導の評価」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).
  64. (1373) Lennart-Knud Liefeith,石倉丈継 ,崔志欣 ,陽完治：「High spin injection without tunnel barrier is possible?」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).
  65. (1374) Ra jagembu Perumal, 陽完治：「Palladium assisted growth of InAs nanowires by Molecular Beam Epitaxy」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).
  66. (1375) 中野拓真 ,赤澤正道 :「ALD-Al2O3/InAlN界面に対する熱処理の効果」第 60回応用物理学関係連合講演会,厚木 (2013).

研究会等

研究会等における講演：２０件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (188) 橋詰保 :「GaNおよび AlGaNのバルク準位と界面準位評価（招待講演）」第４回窒化物半導体結晶成長講演会,東京 (2012.)
  2. (189) 和田敏輝 ,高萩和宏 ,池辺将之 ,雨宮好仁 ,佐野栄一：「60GHz帯低電力直接検波回路」LSIとシステムのワークショップ 2012,北九州市 (2012).
  3. (190) 内田大輔 ,近藤亮 ,池辺将之 ,本久順一 ,佐野栄一：「インターリーブ動作による高速ランプ波形発生器」LSIとシステムのワークショップ 2012,北九州市 (2012).
  4. (191) 田所幸浩 ,葛西誠也 ,一木輝久：「確率共鳴を応用した経路長変調ネットワーク系の有色雑音環境での考察」電子情報通信学会非線形問題研究会，鹿児島 (2012)．
  5. (192) 橋詰保 ,堀祐臣，赤澤正道：「AlInN/GaN系へテロ構造の表面・界面評価」電子情報通信学会電子デバイス研究会，福井 (2012)．
  6. (193) 中野雄紀 ,田中貴之 ,葛西誠也：「GaAs系エッチングナノワイヤ CCDにおける同期電荷転送と効率に関する検討」電子情報通信学会電子デバイス研究会，福井 (2012)．
  7. (194) 内田大輔 ,池辺将之 ,本久順一 ,佐野栄一 ,近藤亮：「シングルスロープ A/D変換器の高速化に向けたインターリーブ型ランプ波形発生器」電子情報通信学会研究会 ,米沢 (2012)．
  8. (195) 堀祐臣，谷田部然治，馬万程，橋詰保：「プロセス条件が AlGaN/GaNヘテロ MOS構造特性に与える影響」電子情報通信学会電子デバイス研究会,大阪 (2012)．
  9. (196) 冨岡克広 ,吉村正利 ,福井孝志：「Si/III-V族化合物半導体ヘテロ接合を用いたトンネル FETの作製（招待講演）」応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第 151回研究集会,東京 (2012).
  10. (197) 冨岡克広 ,福井孝志：「シリコン結晶上の III-V化合物半導体ナノワイヤーの成長技術とトンネル FET応用について」電子情報技術産業協会 ,半導体技術ロードマップ委員会専門部会 (WG3)会合,東京 (2012).
  11. (198) 冨岡克広 ,福井孝志：「シリコン上の III-Vナノワイヤ縦型 FET（招待講演）」日本学術振興会半導体界面制御第 154委員会第 83回研究会,東京 (2012).
  12. (199) 橋詰保：「GaN系絶縁膜界面の制御とパワートランジスター応用（招待講演）」応用電子物性分科会研究例会：ワイドギャップ半導体パワーデバイスの進展 ,金沢 (2012).
  13. (200) F. Ishizaka, K. Ikejiri, K. Tomioka, and T. Fukui:” Fabrication and Characterization of InGaP Nanowires by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, ” the 31st Electronic Materials Symposium (EMS-31), Shizuoka (2012).
  14. (201) E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T. Fukui:” InGaP/GaAs core-multishell nanowire array solar cells by selective-area metal organic vapor phase epitaxy, “the 31st Electronic Materials Symposium (EMS-31),Shizuoka (2012).
  15. (202) T. Fukui:” III-V Compound Semiconductor Nanowire Devices .Present status and future prospects. (Tutorial), “the 31st Electronic Materials Symposium (EMS-31), Shizuoka (2012).
  16. (203) 橋詰保 :「GaNパワーデバイスにおける異種接合界面の制御（招待講演）」日本表面科学会第７４回表面科学研究会平成２４年度中部表面科学シンポジウム ,名古屋大学 (2013).
  17. (204) 葛西誠也：「単一分子集積ネットワークによる情報処理機能実装と信頼性向上」連携融合セミナー「分子ナノテクノロジーから分子アーキテクトロニクスへ」大阪 (2013).
  18. (205) 殷翔 ,葛西誠也：「グラフェン３分岐接合デバイスの試作と論理回路応用の検討」電子情報通信学会シリコン材料デバイス・電子デバイス合同研究会，札幌 (2013).
  19. (206) 孫屹 ,木村祐太 ,前元利彦 ,佐々誠彦 ,葛西誠也：「フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性」電子情報通信学会シリコン材料デバイス・電子デバイス合同研究会，札幌 (2013).
  20. (207) 綿貫雄仁 ,田中朋 ,佐野栄一 ,古月文志：「CNT添加カーボンファイバの電気的特性」電子情報通信学会シリコン材料デバイス・電子デバイス合同研究会，札幌 (2013).

国際会議

国際会議における講演：６１件（うち招待講演１３件）
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (1121) K. Tomioka and T. Fukui: ” Realization of steep-slope behavior in tunnel FETs using InAs nanowire/Si hetero junction, ” 2012 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, San Francisco, California, USA, April 9-13 (2012).
  2. (1122) K. Ikejiri, K. Tomioka, and T. Fukui: ” Bi-directional growth of Zn-doped InP nanowires by selective-area MOVPE, ” 2012 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, San Francisco, California, USA, April 9-13 (2012).
  3. (1123) S. Hara and M. Yatago: ” Hybrid Structure of Semiconducting Nanowires and Ferromagnetic Nanoclusters Grown by Selective-Area Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (Invited), ” 2012 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, San Francisco, California, USA, April 9-13 (2012).
  4. (1124) T. Hashizume:”In-grown and process-induced deep levels in AlGaN alloys (Invited), “International Workshop on ” Frontier of Nitride Semiconductor Alloy Photonics (NSAP), “Hotel Springs, Chiba, May 10 (2012).
  5. (1125) E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T. Fukui: ” GaAs core-shell nanowire array solar cells on masked GaAs (111)B substrates, ” 9th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces (ESPS-NIS), Eindhoven, Netherlands, May 7-9 (2012).
  6. (1125) E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T. Fukui: ” GaAs core-shell nanowire array solar cells on masked GaAs (111)B substrates, ” 9th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces (ESPS-NIS), Eindhoven, Netherlands, May 7-9 (2012).
  7. (1127) Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai, and Katsuhiro Tomioka: ” Com.pound Semiconductor Nanowire Solar Cells (Invited), “The 16th International Con.ference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), Busan, KOREA, May 20-25 (2012).
  8. (1128) K. Ohi and T. Hashizume:”Reduction of o.-stress-induced current collapse in multi.mesa-channel AlGaN/GaN HEMT, “36th Workshop on Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE-2012), Porquerolles, France, May 28-30 (2012).
  9. (1129) Z. Yatabe, Y. Hori, S. Kim, and T. Hashizume: ” E.ects of ICP Etching of Al-GaN on Interface Properties of Al2O3/AlGaN/GaN Structures, “36th Workshop on Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE-2012), Porquerolles, France, May 28-30 (2012).
  10. (1130) Y. Hori, Z. Yatabe, and T. Hashizume: ” Characterization of MOS interfaces based on GaN-related heterostructures, ” Workshop on Dielectrics in Microellectronics (WoDiM 2012), Dresden, Germany, June 25-27 (2012).
  11. (1131) S. Kasai, S. F. A. Rahman, M. Sato, X. Yin, and T. Maemoto: ” Nonlinear Three Branch Nano-Junction Devices and Their Application to Logic Circuits (Invited), ” 2012 Asia-Paci.c Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semi.conductor Devices (AWAD2012), Naha, Japan, June 27 -29 (2012).
  12. (1132) T. Tanaka, Y. Nakano, T. Muramatsu, and S. Kasai: ” Fabrication and Charac.terization of Asymmetric-Gate GaAs Nanowire Transistors for Electrical Brownian Ratchet, ” 2012 Asia-Paci.c Workshop on Fundamentals and Applications of Ad.vanced Semiconductor Devices (AWAD2012), Naha, Japan, June 27 -29 (2012).
  13. (1133) T. Nakano and M. Akazawa: ” E.ect of hydro.uoric acid treatment on InAlN sur.faces,”2012 Asia-Paci.c Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012), Naha, Japan, June 27 -29 (2012).
  14. (1134) K. Ohi and T. Hashizume: ” Improved current stability in multi-mesa-channel Al-GaN/GaN HEMTs, ” 2012 Asia-Paci.c Workshop on Fundamentals and Applica.tions of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012), Naha, Japan, June 27 -29 (2012).
  15. (1135) M. Yoshimura, E. Nakai, K. Tomioka, and T. Fukui: ” InP/AlInP core-multishell nanowire array solar cells by Selective-Area MOVPE, “the 31st Electronic Materials Symposium (EMS-31), ” Shizuoka, Japan, Jul. 11-13 (2012).
  16. (1136) Y. Kohashi, Y. Kobayashi, M. Yatago, S. Hara, and J. Motohisa: ” Fabrication of Highly Uniform InGaAs Nanowires in 30 nm-Diameter Openings with Lower Density in Selective-Area Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy, “the 31st Electronic Materials Symposium (EMS-31), Izu, Japan, July 11-13 (2012).
  17. (1137) S. Yanase, Y. Kohashi, K. Ikejiri, S. Hara, and J. Motohisa: ” Selective Growth and Characterization of InP Nanowires by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy, ” the 31st Electronic Materials Symposium (EMS-31), Izu, Japan, July 11-13 (2012).
  18. (1138) K. Tomioka and T. Fukui: ” Steep-slope tunnel .eld-e.ect transistors using III-V nanowire/Si hetero junction (Invited), ” IEEE VLSI symposia, Hawaii, USA, July 12-15 (2012).
  19. (1139) M. Matys, M. Miczek, B. Adamowicz, and T. Hashizume: ” A novel method for the determination of the full energetic distribution of interface state density in metal/insulator/GaN structures from capacitance-voltage and photocapacitance.light intensity measurements, ” 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012), Zurich, Switzerland, Jul. 29-Aug. 3 (2012).
  20. (1140) Z. Cui, T. Ishikura, J.-C. Harmand, and Kanji Yoh: ” Fabrication and Characteri.zation of InAs Nanowire Spin Transistor Structure, “31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012), Zurich, Switzerland, Jul. 29-Aug. 3 (2012).
  21. (1141) T. Ishikura, Z. Cui, K.Konishi, and Kanji Yoh:”Hall voltage dependence on magne.tization of source electrode in an inverted InAs Heterostructure, “31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012), Zurich, Switzerland, Jul. 29-Aug. 3 (2012).
  22. (1142) Kanji Yoh, Z. Cui, K. Konishi, M.Ohno, K.Blekker, W.Prost, F.-J. Tegude, and J..C. Harmand: ” An InAs Nanowire Spin Transistor, “70th Annual Device Research Conference (DRC), Pennsylvania State University, VA, USA, (2012).
  23. (1143) Kanji Yoh, T. Moriuchi, and M.Inoue: ” Electrical Control of Nuclear-Spin-Induced Hall Voltage in an Inverted InAs Heterostructure, “70th Annual Device Research Conference (DRC), Pennsylvania State University, VA, USA, (2012).
  24. (1144) S. N. Yanushkevich, G. Tangim, S. Kasai, S. E. Lyshevski, and V. P. Shmerko:”De.sign of nanoelectronic ICs: noise-tolerant logic gates based on loopy BDD schemes, ” 12th International Conference on Nanotechnology (IEEE NANO 2012), Birming.ham, UK, Aug. 20-23 (2012).
  25. (1145) M. Yoshimura, E. Nakai, K. Tomioka, and T. Fukui: ” InP/AlInP core-multishell nanowire array solar cells, “the 39th Internal Symposium on Compound Semicon.ductor, Santa Barbara, California, USA, Aug. 27-30 (2012).
  26. (1146) S. Kasai, M. Sato, T. Tanaka, X. Yin, R. Kuroda, and Y. Imai: ” Nonlinear Behav.iors in III-V Semiconductor Nanowires and Their Application to Information Detec.tion and Processing (Invited), ” The First International Workshop on Information Physics and Computing in Nano-scale Photonics and Materials (IPCN), University of Orl´eans, France, September 7 (2012).
  27. (1147) T. Mohamed, S. N. Yanushkevich, and S. Kasai: ” Fault-Tolerant Nanowire BDD circuits, ” The First International Workshop on Information Physics and Comput.ing in Nano-scale Photonics and Materials (IPCN), University of Orl´eans, France, September 7 (2012).
  28. (1148) T. Tanaka, E. Sano, and B. Fugetsu: ” Carbon nanotube network with reduced sheet resistance, ” EMRS (Warsaw, Poland), Sept. 17-21, (2012).
  29. (1149) T. M. Dieb, M. Yoshioka, and S. Hara: ” Automatic Information Extraction of Experiments from Nanodevices Development Papers, “3rd IIAI International Con.ference on e-Survices and Knowledge Managemant (IIAI ESKM 2012), Fukuoka, Japan, September 20-22 (2012).
  30. (1150) Tomotsugu Ishikura, Zhixin Cui, Keita Konishi, Joungeob Lee, and Kanji Yoh: ” Bias dependence of spin accumulation in Fe/n+-Si interface, “International Con.ference on Molecular Beam Epitaxy (MBE), Nara, September 24 -27 (2012).
  31. (1151) Z. Cui, Fauzia Jabeen, J.-C. Harmand, and Kanji Yoh: ” Fabrication and Charac.terization of a δ-dope InAs/InP Core Shell Nanowire Transistor, ” International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE), Nara, September 24 -27 (2012).
  32. (1152) Keita Konishi, Zhixin Cui, Takahiro Hiraki, and Kanji Yoh: ” Spin Injection into Epitaxial Graphene on Silicon Carbide, ” International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE), Nara, September 24 -27 (2012).
  33. (1153) K. Tomioka, M. Yoshimura, and T. Fukui: ” First demonstration of tunnel .eld-e.ect transistor using InGaAs/Si junction, “2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Kyoto, JAPAN, Sep. 25-27 (2012).
  34. (1154) F. Ishizaka, K. Ikejiri, K. Tomioka, and T. Fukui: ” InGaP Nanowires grown by Selective-Area MOVPE, ” 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), Kyoto, Japan, Sep. 25-27 (2012).
  35. (1155) Z. Yatabe, Y. Hori, S. Kim, and T. Hashizume: ” Interface characterization of Al2O3/AlGaN/GaN structure with inductively coupled plasma etching of AlGaN surface,”2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Kyoto, JAPAN, Sep. 25-27 (2012).
  36. (1156) S. Sakita, M. Yatago, and S. Hara: ” Growth and Characterization of AlGaAs Nanowires on Insulating Al2O3 Layers by Selective-Area Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy, ” 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Kyoto, JAPAN, Sep. 25-27 (2012).
  37. (1157) Y. Kohashi, S. Sakita, S. Hara, and J. Motohisa: ” Control of Diameter and Pitch of InGaAs Nanowire Arrays in Selective-Area Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy, ” 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Kyoto, JAPAN, Sep. 25-27 (2012).
  38. (1158) D. Uchida, M. Ikebe, J. Motohisa, and E. Sano: ” A ramp-wave generator with interleaved DACs for single-slope ADC, ” 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Kyoto, JAPAN, Sep. 25-27 (2012).
  39. (1159) Y. Kumazaki, T. Kudo, Y. Yatabe, and T. Sato: ” Optical Absorption Properties of InP Porous Structures Formed by Electrochemical Process, ” 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Kyoto, JAPAN, Sep. 25-27 (2012).
  40. (1160) T. Sato, R. Jinbo, and Z. Yatabe: ” Photoelectric-conversion Devices Based on InP Porous Structure, ” 2012 Paci.c Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science, Honolulu, USA, October 7-12 (2012).
  41. (1161) T. Hashizume, Y. Hori, S. Kim, Z. Yatabe, and M. Akazawa: ” Insulated gate technologies for high-performance GaN transistors (Invited), “International Work.shop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), Sapporo, Japan, October 14 -19 (2012). 42.(1162) M. Akazawa and T. Nakano: ” E.ects of surface treatment on InAlN investigated by X-ray photoelectron spectroscopy, “International Workshop on Nitride Semicon.ductors 2012 (IWN2012), Sapporo, Japan, October 14 -19 (2012).
  43. (1163) K. Ikejiri, F. Ishizaka, K. Tomioka, and T. Fukui: ” Bi-directional growth of InP nanowires by selective-area MOVPE, “The 1st International Conference on Emerg.ing Advanced Nanomaterials (ICEAN), Brisbane, Australia, Oct. 22-25 (2012).
  44. (1164) Takashi Fukui, Keitaro Ikejiri, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai, and Katsuhiro Tomioka, “Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells (Invited), ” The 1st International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICEAN), Brisbane, Australia, Oct. 22-25 (2012).
  45. (1165) K. Tomioka and T. Fukui: ” Integration of III-V nanowires on Si and their applica.tions (Invited), “25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2012), Kobe, Japan, Oct.30-Nov.2 (2011).
  46. (1166) T. Endo, E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T. Fukui: ” Flexible InP nanowire array obtained by epitaxial growth and peeling o. process for solar cell application, ” 25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2012), Kobe, Japan, Oct. 30-Nov. 2 (2012).
  47. (1167) T. Tanaka, Y. Nakano, and S. Kasai: ” Fabrication and Characterization of A GaAs Nanowire Device Having Multiple Asymmetric Gates for Electrical Brown.ian Ratchet, ” 25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2012), Kobe, Japan, Oct.30-Nov. 2, 2012.
  48. (1168) M. Sato and S. Kasai: ” Characterization of GaAs-based three-branch nanowire junction devices by light-induced local resistance modulation method, “25th Inter.national Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2012), Kobe, Japan, Oct.30-Nov. 2 (2012).
  49. (1169) Y. Kimura, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, and M. Inoue: ” Recti.ca.tion E.ects of ZnO-based Transparent Nano-diodes on Glass and Flexible Plas.tic Substrates, “25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2012), Kobe, Japan, Oct.30-Nov. 2 (2012).
  50. (1170) S. Sakita, M. Yatago, and S. Hara: ” Selective-Area Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy of AlGaAs Nanostructures on Crystallized Insulating Al2O3/ Layers, “25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2012), Kobe, Japan, Oct.30-Nov. 2 (2012).
  51. (1171) T. Sato: ” High-sensitive ISFETs Based on Semiconductor Porous Nanostructures (Invited), ” BIT ‘s 3rd Annual World Congress of NanoMedicine-2012, Shenzhen, China, November 1-3, (2012).
  52. (1172) Kanji Yoh: “Spin Injection and Transport Characteristics of Single Layer Graphene Grown on 4H-SiC,”International Symposium on Graphene Devices (ISGD-3), Paris, France, November 5 -9 (2012).
  53. (1173) T. Hashizume: ” Characterization and control of insulated gates for GaN power switching transistors (Invited), “The Ninth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM-2012), Smolenice, Slovakia, Nov. 11-15 (2012).
  54. (1174) K. Tomioka, M. Yoshimura, and T. Fukui: ” First demonstration of tunnel .eld-e.ect transistor using InGaAs nanowire/Si hetero junction,”MRS 2012 Fall meeting, Boston, USA, Nov.25-30 (2012).
  55. (1175) E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T. Fukui: ” GaAs/InGaP core-multishell nanowire array solar cells by selective-area metal organic vapor phase epitaxy, “2012 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA, Nov. 25-30 (2012).
  56. (1176) Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Takahito Endo, Eiji Nakai, and Katsuhiro Tomioka, “Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells (Invited),”2012 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA, Nov. 25-30 (2012).
  57. (1177) Y. Kohashi, S. Sakita, S. Hara, and J. Motohisa: ” Selective-Area Growth of Highly Uniform and Thin InGaAs Nanowires by Two-Step growth Method, “2012 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA, Nov. 25-30 (2012).
  58. (1178) S. Kasai, T. Tanaka, and M. Sato: ” Design and Formation of Multiple Asymmetric Potential in a GaAs-based Nanowire for Electron Brownian Ratchet, “2012 Work.shop on Innovative Devices and Systems (WINDS), Kohala, Hawaii, USA, Dec. 2 .7 (2012).
  59. (1179) Kisu Kim, Masayuki Ikebe, and Junichi Motohisa, and Eiichi Sano:”A 11b 5.1 μ W multi-slope ADC with a TDC using multi-phase clock signals, “IEEE International Conference on Electronics, Circuits, and Systems (Seville, Spain), Dec. 9-12 (2012).
  60. (1180) S. Hara: ” Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy of Ferromagnetic MnAs Nanoclusters and MnAs/GaAs Hybrid Nanowires (Invited), “2012 Collabo.rative Conference on Crystal Growth (3CG 2012), Orlando, Florida, USA, December 11-14 (2012).
  61. (1181) Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui: ” High-performance III-V nanowire transis.tors on silicon (Invited), “The Sweden-Japan Workshop on Quantum Nano-Physics and Electronics(QNANO2013), Tokyo, Jan. 13-14(2013).

競争的研究資金

政府・民間からの助成金

政府・民間からの助成金
（金額は平成 24年度分）

  1. 科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 (CREST)，平成 21〜26年度，「異種接合 GaN横型トランジスタのインバータ展開」，代表者：橋詰保， 32,340千円．
  2. 科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 (CREST)，平成 19〜24年度，「相補型グラフェン・オン・シリコン (CGOS)論理集積回路技術の開発」，代表者：佐野栄一， 5,075千円．
  3. 総務省戦略的情報通信研究開発推進制度 (SCOPE)，平成 22〜24年度，「センサーチップの基盤となるマイクロワット級集積回路の研究開発」，代表者：佐野栄一， 15,139千円．
  4. 科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 (日仏 )，平成 22〜24年度，「インジウム砒素ナノワイヤに基づく超低消費電力スピントランジスタ」，代表者：陽完治， 7,350千円．
  5. 科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 (共同研究：さきがけ研究員冨岡克広 )，平成 21〜24年度，「Si/III-V族半導体ヘテロ界面の機能化と低電力スイッチ素子の開発」，代表者：福井孝志， 4,368千円．
  6. 科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 (共同研究：さきがけ研究員冨岡克広 )，平成 24〜27年度，「新しい半導体固相界面による新規グリーンデバイスの開発」，代表者：福井孝志，5,368千円．
  7. 科学技術振興機構先端的低炭素化技術開発 (ALCA)，平成 23〜24年度，「極低電圧動作超並列 III-V族半導体微細トランジスタ技術の開発」，代表者：葛西誠也， 2,688千円.
  8. 日本学術振興会外国人特別研究員 (欧米短期 )事業，平成 24年度，「有機金属気相選択成長法による MnAsナノクラスタ配列構造の作製」（外国人研究員 : Martin Fischer, PE 12531）代表者：原真二郎， 243千円)
  9. 日本学術振興会 JSPSサマープログラム，平成 24年度，「強磁性体 MnAsナノクラスタによる磁気ナノエレクトロニクス素子の研究」（外国人研究員 : Martin Fischer, SP 12303）代表者：原真二郎， 100千円)
  10. 住友電工グループ社会貢献基金 2012年度学術・研究助成，平成 24〜25年度，「強磁性体ナノクラスタ列による磁気メモリ／論理素子のボトムアップ形成」 代表者：原真二郎， 675千円)
  11. 村田学術振興財団研究助成，平成 23〜24年度，「半導体ナノワイヤ磁気センサーのボトムアップ形成に関する研究」 代表者：原真二郎， 1,000千円)

共同研究

共同研究
（金額は平成 24年度分）

  1. 民間との共同研究（本田技術研究所）「化合物半導体格子不整合ヘテロ構造ナノワイヤの成長」，代表者：福井孝志， 10,735千円．
  2. 民間との共同研究（住友電気工業），「GaNエピタキシャル層 /基板界面の評価」，代表者：橋詰保， 1,000千円．
  3. 民間との共同研究（住友電気工業），「AlGaN/GaN構造の表面保護膜の評価」，代表者：橋詰保， 900千円．
  4. 民間との共同研究（トヨタ自動車），「GaN HEMTにおけるゲート構造のプロセス技術とポテンシャル制御」，代表者：橋詰保， 4,707千円．
  5. 民間との共同研究（パナソニック），「窒化物半導体材料の絶縁膜界面制御に関する研究」代表者：橋詰保， 900千円．
  6. 民間との共同研究（三菱電機），「GaNデバイスの物性解明」代表者：橋詰保， 455千円．
  7. 民間との共同研究（クラレリビング），「カーボンナノチューブ (CNT)ネットワークの導電挙動の解明」，代表者：佐野栄一， 1,000千円．
  8. 民間との共同研究（豊田中央研究所），「確率共鳴現象に関する理論の実験的検証」，代表者：葛西誠也， 910千円．
  9. 民間との共同研究（富士電機），「確率共鳴による微弱信号検出技術のフィジビリティスタディー」，代表者：葛西誠也， 455千円．
  10. 民間との共同研究（半導体理工学研究センター），「半導体トランジスタ確率共鳴を利用した耐雑音生体信号検出技術の開拓」，代表者：葛西誠也， 909千円．

科学研究費補助金

科学研究費補助金
（金額は平成 24年度分）

  1. 科学研究費補助金基盤研究（S），平成 23〜27年度，「半導体ナノワイヤによる光デバイス応用」，代表者 :福井孝志 , 46,763千円．
  2. 科学研究費補助金特別推進研究，平成 23〜27年度，「グラフェンテラヘルツレーザーの創出」（研究代表者:尾辻泰一），研究分担者：佐野栄一， 2,300千円
  3. 科学研究費補助金基盤研究（A），平成 21〜24年度，「電子準位制御と新ゲート構造による窒化ガリウム系トランジスタの高信頼化」，代表者：橋詰保， 7,475千円．
  4. 科学研究費補助金基盤研究（B），平成 22〜24年度，「半導体ナノワイヤ 3分岐接合デバイスの非線形メカニズムの解明と制御」，代表者：葛西誠也， 1,828千円．
  5. 科学研究費補助金基盤研究（B），平成 23〜25年度，「シリコン上の強磁性体／半導体ナノワイヤによるスピン偏極発光素子の研究」，代表者：原真二郎， 6,785千円．
  6. 科学研究費補助金基盤研究（C），平成 24〜26年度，「窒化インジウムアルミニウム混晶表面・界面におけるフェルミ準位ピンニングの制御」，代表者：赤澤正道， 1,495千円．
  7. 科学研究費補助金若手研究（A），平成 21〜24年度，「半導体多孔質構造を利用した機能的ナノ界面の高密度形成と高感度化学センシング技術」，代表者：佐藤威友， 3,450千円．
  8. 科学研究費補助金挑戦的萌芽研究，平成 23〜24年度，「グラフェン pn接合における負の屈折率の実証」，代表者：陽完治， 691千円.
  9. 科学研究費補助金挑戦的萌芽研究，平成 23〜25年度，「化合物半導体 1次元ブラウンラチェットによる超低エネルギー電子輸送の検討」，代表者：葛西誠也， 1,092千円.
  10. 科学研究費補助金挑戦的萌芽研究，平成 24〜26年度，「ナノカーボンネットワークの電子物理解明とその応用」，代表者：佐野栄一， 1,150千円.

知的財産権

特許登録

特許登録
（金額は平成 24年度分）

  1. 日本国特許登録
    特許番号： 496345
    登録日： 2012/4/6
    発明の名称：「半導体基板の表面に絶縁膜を形成する方法と装置」
    発明者：橋詰保，杉本雅裕，副島成雅，上杉勉，加地徹 .
  2. 日本国特許登録
    特許番号： 4982729
    登録日： 2012/5/11
    発明の名称：「超高感度画像検出装置およびその製造方法，検出方法」
    発明者：陽完治
  3. 日本国特許登録
    特許番号： 8227794
    登録日： 2012/7/24
    発明の名称：「相補型論理ゲート装置」
    発明者：佐野栄一，尾辻泰一．
  4. ロシア特許登録
    特許番号： 2469435
    登録日： 2012/10/17
    発明の名称：「半導体発光素子アレー，およびその製造方法」
    発明者：比留間健之，原真二郎，本久順一，福井孝志 .
  5. 日本国特許登録
    特許番号： 5211352
    登録日： 2013/3/8
    発明の名称：「半導体発光素子アレー、およびその製造方法」
    発明者：比留間健之、原真二郎、本久順一、福井孝志 .
  6. 日本国特許登録
    特許番号： 5126972
    登録日： 2012/11/9
    発明の名称：「電磁波シールド材の製造方法」
    発明者：古月文志，佐野栄一 .
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