研究活動・業績

2017年度

研究業績

学会誌論文

学会誌論文等：26件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (1404) Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui: ” (Invited) Transistor application using vertical III-V nanowires on Si platform, “ECS Trans., Vol. 80, pp. 43-52 (2017).
  2. (1405) R. Stoklas, D. Greguˇsov´a, M. Blaho, K. Fr¨ohlich, J. Nov´ak, M. Matys, Z. Yatabe, P. Kordoˇs and T. Hashizume:” Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction, ” Semicond. Sci. Technol., Vol. 32, pp.045018-1-8 (2017).
  3. (1406) Shougo Yanase, Hirotake Sasakura, Shinjiro Hara, and Junichi Motohisa: ” Single-Photon Emission from InAsP Quantum Dots Embedded in Density-Controlled InP Nanowires, “Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 56, No. 4S, pp. 04CP04-1-6 (2017).
  4. (1407) Y. Kumazaki, S. Matsumoto, T. Sato: ” Precise Structural Control of GaN Porous Nanostructures Utilizing Anisotropic Electrochemical and Chemical Etching for the Optical and Photoelectrochemical Applications, ” J. The Electrochem. Soc., Vol. 164, pp.H477-H483 (2017).
  5. (1408) Y. Kumazaki, K. Uemura, T. Sato, T. Hashizume: ” Precise thickness control in recess etching of AlGaN/GaN hetero-structure using photocarrier-regulated electrochemical process, “J. App. Phys., Vol. 121, pp.184501-1-6 (2017).
  6. (1409) S. Okamoto, M. Sato, K. Sasaki, and S. Kasai: ” Detection of charge dynamics of a tetraphenylporphyrin particle using GaAs-based nanowire enhanced by particlemetal tip capacitive coupling, “Jpn. J. Appl. Phys., Vol.56, pp.06GK02.1-6 (2017).
  7. (1410) S. Ozaki, K. Makiyama, T. Ohki, N. Okamoto, S. Kaneki, K. Nishiguchi, N. Hara and T. Hashizume: ” Effects of air annealing on DC characteristics of InAlN/GaN MOS high-electron-mobility transistors using atomic-layer-deposited Al2O3,”Appl. Phys. Express, Vo.10, pp.061001-1-4 (2017).
  8. (1411) Ryoma Horiguchi, Hiroaki Kato, Kyohei Kabamoto, Ryutaro Kodaira, and Shinjiro Hara: ” Analyses of Magnetization Switching and Magnetic Domains in Lateral MnAs Nanowires in Combination with Structural Characterization, “Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 56, No. 6S1, 06GH05-1-6 (2017).
  9. (1412) Ryutaro Kodaira, Kyohei Kabamoto, and Shinjiro Hara: ” Shape Control of Ferromagnetic MnAs Nanoclusters Exhibiting Magnetization Switching in Vertical MnAs/InAs Heterojunction Nanowires, “Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 56, No. 6S1, 06GH03-1-6 (2017).
  10. (1413) E. Sano and M. Ikebe: ” Equivalent circuit analysis of artificial dielectric layers, ” Progress In Electromagnetics Research M, Vol. 60, pp. 85-92 (2017).
  11. (1414) E. Sano and M. Ikebe: ” High impedance properties of two dimensional composite right/left-handed transmission lines, ” Progress In Electromagnetics Research C, Vol. 76, pp. 55-62 (2017).
  12. (1415) H. Yamamoto, K. Agui, Y. Uchida, S. Mochizuki, T. Uruma, N. Satoh, and T. Hashizume: ” Evaluation of carrier concentration reduction in GaN-on-GaN wafers by Raman spectroscopy and Kelvin force microscopy, “Jpn. J. Appl. Phys., Vol.56, pp.08LB07-1-5 (2017).
  13. (1416) M. Akazawa and A. Seino: ” Reduction of interface state density at SiO2/InAlN interface by inserting ultrathin Al2O3 and plasma oxide interlayers, “Phys. Status Solidi B, Vol. 254, No. 8, pp. 1600691-1-6 (2017).
  14. (1417) A. Setiadi, H. Fujii, S. Kasai, K. Yamashita, T. Ogawa, T. Ikuta, Y. Kanai, K. Matsumoto, Y. Kuwahara, and M. Akai-Kasaya: ” Room temperature discretecharge- fluctuation dynamics of a single molecule adsorbed on a carbon nanotube, ” Nanoscale, Vol.30, pp.10674-10683 (2017).
  15. (1418) 位田祐基，白田健人，葛西誠也: 「(招待論文) ジェスチャー型マン・マシンインターフェースに向けた確率共鳴現象を応用したロバスト表面筋電信号検出技術」電子情報通信学会和文誌C, Vol.J100-C, No.9, pp.369-376 (2017).
  16. (1419) E. Sano, T. Watanuki, M. Ikebe, and B. Fugetsu: ” Electrical characterization and microwave application of polyacrylonitrile/carbon nanotube-based carbon fibers, ” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 56, pp. 095103-1-4 (2017).
  17. (1420) K. Nishiguchi, S. Kaneki, S. Ozaki, and T. Hashizume:”Current linearity and operation stability in Al2O3-gate AlGaN/GaN MOS high electron mobility transistors, ” Jpn. J. Appl. Phys., Vol.56, pp.101001-1-8 (2017).
  18. (1421) M. Matys, B. Adamowicz, S. Kaneki, K. Nishiguchi, and T. Hashizume: ” Disorder induced gap states as a cause of threshold voltage instabilities in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors,”J. Appl. Phys., Vol.122, pp.224504-1-7 (2017).
  19. (1422) Kohei Chiba, Katsuhiro Tomioka, Akinobu Yoshida, and Junichi Motohisa:” Composition controllability of InGaAs nanowire arrays in selective area growth with controlled pitched on Si platform, “AIP Advances, Vol. 7, pp.125304-1-5 (2017).
  20. (1423) H. Ohta, S. W. Kim, S. Kaneki, A. Yamamoto, and T. Hashizume: ” High thermoelectric power factor of high-mobility 2D electron gas, ” Advanced Science, Vol.5, pp.1700696-1-6 (2018).
  21. (1424) M. Chen, Y. Zhu, C. Yao, D. Zhang, Xi. Zeng, I. Murtaza, H. Chen, S. Kasai, H. Meng, and O. Goto: ” Intrinsic charge carrier mobility in single-crystal OFET by “fast trapping vs. slow detrapping”model,”Organic Electronics, Vol.54, pp.237-244 (2018).
  22. (1425) 佐野栄一: 「EMC 設計実現のためのCNT 分散複合材料」機能材料, Vol. 38, No. 2, pp. 59-65 (2018).
  23. (1426) M. Akazawa, N. Yokota, and K. Uetake:”Detection of deep-level defects and reduced carrier concentration in Mg-ion-implanted GaN before high-temperature annealing,” AIP Advances, Vol. 8, Issue 2, pp. 025310-1-7 (2018).
  24. (1427) S. Kasai, A. Ichiki, and Y. Tadokoro:”Divergence of relative difference in Gaussian distribution function and stochastic resonance in a bistable system with frictionless state transition, “Appl. Phys. Express, Vol.11, pp.037301-1-4 (2018).
  25. (1428) Z. Yatabe, S. Inoue, J. T. Asubar, and S. Kasai: ” Analytical derivation of charge relaxation time distribution in a transistor from current noise spectrum using inverse integral transformation method,”Appl. Phys. Express, Vol.11, pp.031201.1-4 (2018).
  26. (1429) 平松正太, 池辺将之, 佐野栄一: 「(招待論文) 2.4 GHz ウェイクアップ受信機の試作と評価」電子情報通信学会和文論文誌, Vol. J101-C, No.3, pp.147-155 (2018).

著書

著書 ：3件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (47) S. Kasai, S. Inoue, S. Okamoto, K. Sasaki, X. Yin, R. Kuroda, M. Sato, R.Wakamiya, and K. Saito: ” Detection and Control of Charge State in Single Molecules Toward Informatics in Molecular Networks, “Molecular Architectonics -The Third Stage of Single Molecule Electronics-, Ed. T. Ogawa, Springer, Switzerland, pp.69-94 (2017).
  2. (48) Shinjiro Hara: ” Ferromagnetic MnAs/III-V Hybrid Nanowires for Spintronics, “Chapter 6, Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications, Part II, edited by Fumitaro Ishikawa and Irina Buyanova, Pan Stanford Publishing Pte. Ltd., Singapore, pp. 177-220 (2017).
  3. (49) Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa Takashi Fukui: ” III-V nanowires: transistor and photovoltaic applications, ” Chapter 14, Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications, Part II, edited by Fumitaro Ishikawa and Irina Buyanova, Pan Stanford Publishing Pte. Ltd., Singapore, pp. 457-507 (2017).

国内学会

国内学会における講演発表：４2件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (1767) 冨岡克広, 本久順一:「（招待講演）半導体ナノワイヤ選択成長と電子デバイス応用」第9 回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 札幌(2017).
  2. (1768) 南祐輔, 吉田旭伸, 冨岡克広, 本久順一:「Ge(111) 基板上のGaAs ナノワイヤ選択成長」第9 回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 札幌(2017).
  3. (1769) 山本侑也, 環尚人, 本久順一:「縦型ナノワイヤFET に向けたGaN ナノワイヤ形成条件の検討」第9 回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 札幌(2017).
  4. (1770) 佐々木正尋, 千葉康平, 吉田旭伸, 冨岡克広, 本久順一:「InAsP 埋め込みInP ナノワイヤにおける発光波長制御」第9 回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 札幌(2017).
  5. (1771) 清水克真, 法元盛久, 大八木康之, 西尾俊平, 成瀬誠, 松本勉, 葛西誠也: 「ゲート埋込ナノ構造とMOSFET 電流-電圧特性の相関に関する基礎検討」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  6. (1772) 葛西誠也, 一木輝久, 田所幸浩: 「双安定系確率共鳴における雑音による微小信号高感度応答の数理機構」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  7. (1773) 金木奨太, 西口賢弥, 橋詰保: 「Al2O3/GaN 構造の界面制御プロセス」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  8. (1774) 及木達矢, 西口賢弥, 山田真嗣, 桜井秀樹, 上村隆一郎, 長田大和, 加地徹, 橋詰保:「MOS 構造によるGaN 表面のICP エッチング誘起欠陥の評価」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  9. (1775) 問谷翔太, 橋詰保:「m 面GaN 層に形成したMOS 構造の界面特性評価」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  10. (1776) 安藤祐次, 金木奨太, 西口賢弥, 橋詰保:「AlxGa1-xN/GaN MOS-HEMT のゲート制御特性評価」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  11. (1777) 西口賢弥, 金木奨太, 橋詰保:「Al2O3 膜を用いたAlGaN/GaN MOS HEMT の電流制御性向上」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  12. (1778) 小平竜太郎, 堀口竜麻, Patrick Uredat, Matthias T. Elm, Peter J. Klar, 原真二郎:「Magnetotransport Properties of Single InAs Nanowires」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  13. (1779) 堀口竜麻, 飯田勝也, 森田浩平, 原真二郎:「Si 上にSA-MOVPE 成長したMnAs ナノクラスタの磁区構造制御」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  14. (1780) 植村圭佑, 佐藤威友, 橋詰保:「光電気化学(PEC) 反応を利用したリセスゲートAlGaN/GaN HEMT の作製」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  15. (1781) 松本悟, 佐藤威友, 成田哲生, 加地徹, 橋詰保:「光電気化学反応を利用したn-GaN表面層の低損傷エッチング」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  16. (1782) 冨岡克広, 本久順一:「（招待講演）MOVPE 選択成長法によりナノワイヤ成長とデバイス応用」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  17. (1783) 千葉康平, 吉田旭伸, 冨岡克広, 本久順一:「Si 基板上InGaAs ナノワイヤアレイフォトダイオード」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  18. (1784) 佐々木正尋, 千葉康平, 冨岡克広, 本久順一:「InAsP 量子ドットナノワイヤにおける通信波長帯発光」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  19. (1785) 横田直茂, 植竹啓, 赤澤正道:「Mg イオン注入したGaN の電気的特性の熱処理による変化」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  20. (1786) 長谷崎泰斗, 赤澤正道:「絶縁体超薄膜挿入によるGaN ショットキーダイオード特性の変化」第78 回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  21. (1787) 北嶋翔平, 赤澤正道:「Al2O3 超薄膜介在層を有するSiO2/InAlN 界面の特性」第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡(2017).
  22. (1788) 渡久地政周, 佐藤威友:「Franz-Keldysh 効果を用いた窒化ガリウムの光電気化学反応制御」2017 年電気化学会秋期大会, 長崎市(2017).
  23. (1789) 渡久地政周, 松本悟, 佐藤威友: 「表面加工を施した窒化ガリウムの特異的光吸収特性と光電気化学エッチングの制御」2018 年電気化学会第85 回大会, 東京(2018).
  24. (1790) 平松正太, 池辺将之, 佐野栄一: 「テラヘルツ帯広帯域オンチップアンテナの設計」2017 信学会エレクトロニクスソサイエティ大会, 東京(2017).
  25. (1791) 長谷川大, 佐野栄一: 「２次元右手／左手複合伝送線路の特性解析」2017 信学会エレクトロニクスソサイエティ大会, 東京(2017).
  26. (1792) 千葉康平, 吉田旭伸, 冨岡克広, 本久順一:「Si 基板上InGaAs ナノワイヤアレイフォトダイオードに関する研究」The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36),長浜(2017).
  27. (1793) 佐々木正尋, 千葉康平, 冨岡克広, 本久順一:「通信波長帯で発光するナノワイヤ量子ドットの成長と評価」The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36), 長浜(2017).
  28. (1794) 南祐輔, 吉田旭伸, 冨岡克広, 本久順一:「太陽光発電応用に向けたGe(111) 基板上GaAs ナノワイヤのMOVPE 選択成長」The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36), 長浜(2017).
  29. (1795) 吉田旭伸, 南祐輔, 千葉康平, 冨岡克広, 本久順一:「Ge(111) 基板上InGaAs ナノワイヤ選択成長」The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36), 長浜(2017).
  30. (1796) 山本侑也, 環尚杜, 本久順一:「縦型ナノワイヤFET に向けたGaN ナノワイヤ成長条件の検討」The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36), 長浜(2017).
  31. (1797) 冨岡克広, 吉田旭伸, 南祐輔, 石坂文哉:「III-V 族化合物半導体ナノワイヤ縦型トランジスタのチャネル長スケーリング効果」The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36), 長浜(2017).
  32. (1798) 堀口竜麻, 飯田勝也, 森田浩平, 原真二郎:「Si 上に選択成長したMnAs ナノクラスタの磁区及び磁壁評価」, 第53 回応用物理学会北海道支部/第14 回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 札幌(2018).
  33. (1799) 北嶋翔平, 赤澤正道;「Al2O3 およびプラズマ酸化物超薄膜介在層を有するSiO2/InAlN界面の特性」第53 回応用物理学会北海道支部／第14 回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 札幌(2018).
  34. (1800) 山田真嗣, 櫻井秀樹, 大森雅登, 須田淳, 長田大和, 上村隆一郎, 及木達矢, 橋詰保, 加地徹:「多段ICP-RIE によるn 型GaN のエッチングダメージの制御」第65 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).
  35. (1801) 及木達矢, 橋詰保:「高温アニールがAl2O3/GaN 界面特性に及ぼす影響」第65 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).
  36. (1802) 金木奨太, 橋詰保:「ALD-Al2O3 を用いたGaN MOS ゲート構造の界面制御」第65回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).
  37. (1803) 安藤祐次, 金木奨太, 西口賢弥, 橋詰保:「Al2O3-gate AlGaN/GaN MOS HEMTの動作安定性」第65 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).
  38. (1804) 小平竜太郎, 堀口竜麻, 原真二郎:「屈曲したMnAs/InAs ヘテロ接合ナノワイヤの磁気特性および構造評価」第65 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).
  39. (1805) 吉田旭伸, 冨岡克広, 千葉康平, 本久順一:「Ge 上InGaAs ナノワイヤの組成評価と縦型素子応用」第65 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).
  40. (1806) 蒲生浩憲, 冨岡克広, 吉田旭伸, 千葉康平, 本久順一:「Si 上InAs ナノワイヤ縦型FET 高性能化の検討」第65 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).
  41. (1807) 北嶋翔平, 赤澤正道:「プラズマ酸化膜介在層を有するSiO2/InAlN 界面の特性」第65 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).
  42. (1808) 植竹啓, 横田直茂, 赤澤正道:「Mg イオン注入したGaN の電気的特性の熱処理による変化(2)」第65 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2018).

研究会等

研究会等における講演：8件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (317) 橋詰保:「GaN 系半導体のMOS 界面制御」日本学術振興会第162 委員会第103 回研究会, 金沢(2017).
  2. (318) 橋詰保:「GaN 系トランジスタにおける界面制御」応用物理学会応用電子物性分科会研究会, 大阪(2017).
  3. (319) 橋詰保: 「(基調講演) GaN MIS 界面とトランジスタ応用～これまでのIII-V MIS 界面と違いはあるのか～」、日本結晶成長学会・ナノ構造・エピタキシャル成長分科会・第9 回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 札幌(2017).
  4. (320) 平松正太, ナソクジン, 横山紗由里, 池辺将之, 佐野栄一:「CMOS テラヘルツイメージング用オンチップアンテナの小型化」映像情報メディア学会研究会, 札幌(2017).
  5. (321) 稲田一稀, 位田祐基, 葛西誠也:「非線形素子ネットワークを用いた表面筋電検出技術におけるユーザー適応パラメータ最適化機能の実装」電子情報通信学会電子デバイス研究会, 東京(2017).
  6. (322) 植村圭佑, 松本悟, 渡久地政周, 伊藤圭亮, 佐藤威友:「光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用」電子情報通信学会電子デバイス研究会, 名古屋(2017).
  7. (323) 佐野栄一, 池辺将之:「(招待講演) シリコンCMOS プロセスを用いたテラヘルツ検出器」シンポジウム　テラヘルツ科学の最先端IV, 熱海(2017).
  8. (324) 葛西誠也:「（招待講演）生体機能に倣ったゆらぎと共存協調する電子デバイス」第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－, 三島(2018).

国際会議

国際会議における講演：45件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (1658) Y. Yamamoto, N. Tamaki, A. Sonoda, and J. Motohisa: ” Dependence on growth conditions in selective-area growth of GaN nanowires using RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy, “Compound Semiconductor Week 2017, Berlin, Germany, May 14-18 (2017).
  2. (1659) S. Hiramatsu, K. Wakita, S. Na, S. Yokoyama, M. Ikebe, and E. Sano: ” CMOS terahertz imaging pixel with a small on-chip antenna, ” 2017 International Image Sensor Workshop, Hiroshima, Japan, May 30-June 2 (2017).
  3. (1660) S. Kasai:”Amoeba-inspired electronic computing system: Fluctuation and solution searching capability (invited), “Workshop on Molecular Architectonics – Toward Realization of Neuromorphic Computing by Nanomatrials, Toyonaka, Osaka, Japan, June 29-30 (2017).
  4. (1661) K. Saitoh and S. Kasai: ” Impact of External Fluctuation on Solution Search in Amoeba-inspired Electronic Computing System, “Workshop on Molecular Architectonics – Toward Realization of Neuromorphic Computing by Nanomatrials, Toyonaka, Osaka, Japan, June 29-30 (2017).
  5. (1662) K. Inada, Y. Inden, and S. Kasai: ” Development of Robust Surface Myoelectric Detection Technique Using a Nonlinear Device Network with Auto Parameter Tuning Mechanism,”2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2017), Gyeongju, Korea, July 3-5 (2017).
  6. (1663) K. Shimizu, X. Yin, K. Sasaki, and S. Kasai: ” Electrical Nanostructure Discrimination Technique for Nano-artifact Metrics, ” 2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2017), Gyeongju, Korea, July 3-5 (2017).
  7. (1664) Kenya Nishiguchi, Syota Kaneki, and Tamotsu Hashizume: ” Improved MOS gate control in Al2O3/AlGaN/GaN HEMTs with reverse-bias annealing, “12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12), Strasbourg, France, July 24 – 28 (2017).
  8. (1665) Syota Kaneki, Zenji Yatabe, Kenya Nishiguchi, and Tamotsu Hashizume:” Threshold voltage shifts induced by acceptor-like interface states in Al2O3/AlGaN/GaN HEMTs, ” 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12), Strasbourg, France, July 24 – 28 (2017).
  9. (1666) Taketomo Sato, Keisuke Uemura, Yusuke Kumazaki, and Tamotsu Hashizume: ” Precise thickness control in recess-etching for normally-off AlGaN/GaN HEMTs using a low damage photo-electrochemical reaction, “12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12), Strasbourg, France, July 24 – 28 (2017).
  10. (1667) M. Akazawa and T. Hasezaki: ” Modification of Fermi-level pinning at metal/GaN interface by inserting ultrathin Al2O3 interlayers, ” 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12), Strasbourg, France, July 24 – 28 (2017).
  11. (1668) N. Yokota, K. Uetake, and M. Akazawa: ” Measurement of Electronic States Generated in GaN by Mg Ion Implantation, “29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017), Matsue, Shimane, Japan, July 31 – Aug. 4 (2017).
  12. (1669) J. Motohisa, H. Kameda, M. Sasaki, S. Hara, and K. Tomioka:”Photoluminescence of Zn-Doped InP Nanowires: Mixing of Crystal Structures, Donor-Acceptor Pair Recombination, and Surface Effects, “29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017), Matsue, Shimane, Japan, July 31 – Aug. 4 (2017).
  13. (1670) K. Tomioka, F. Ishizaka, and J. Motohisa:”Current enhancement of tunnel FET using modulation-doped nanowire-channels, “22nd International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, 18th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (EP2DS-22/MSS-18), State College, USA, July 31 – August 4 (2017).
  14. (1671) H. Kameda, K. Tomioka, F. Ishizaka, M. Sasaki, and J. Motohisa: ” Improved characteristics of InP-based nanowire light-emitting diodes, ” 22nd International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, 18th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (EP2DS-22/MSS-18), State College, USA, July 31 – August 4 (2017).
  15. (1672) Y. Minami, A. Yoshida, K. Tomioka, and J. Motohisa: ” Selective-area growth of GaAs nanowires on Ge(111) substrates, ” 22nd International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, 18th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (EP2DS-22/MSS-18), State College, USA, July 31 – August 4 (2017).
  16. (1673) X. Yin and S. Kasai:” Reduction of EB resist residues on graphene surface in terms of resist adhesion and solubility in developer solution, ” 2th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2017), Kirishima, Japan, August 28-31 (2017).
  17. (1674) D. Greguˇsov´a, M. Blaho, P. ˇSichman, ˇS. Haˇsˇc´ık, S. Hasen¨ohrl, R. Stoklas, A. Lauren ˇc´ıkov´a, K. Fr¨ohlich, L. T´oth, B. P´ecz, F. Brunner, J. Wurfl, T. Hashizume, and J. Kuzm´ık:” Threshold voltage controllability and stability in InGaN/AlGaN/GaN MOS HEMTs,”12th TopicalWorkshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM-2017), Kirishima, Japan, August 28-31 (2017).
  18. (1675) Keisuke Uemura, Yusuke Kumazaki, Taketomo Sato, and Tamotsu Hashizume: ” Highly-controllable etching for AlGaN/GaN recessed-gate structures utilizing lowdamage electrochemical reactions, “12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM-2017), Kirishima, Japan, August 28-31 (2017).
  19. (1676) Shota Kaneki, Zenji Yatabe, and Tamotsu Hashizume: “Correlation between VTH instability and interface states in Al2O3/AlGaN/GaN Structures, ” 12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM-2017), Kirishima, Japan, August 28-31 (2017).
  20. (1677) Kenya Nishiguchi, Shota Kaneki, and Tamotsu Hashizume: ” Effects of bias annealing on current linearity of Al2O3/AlGaN/GaN MOS HEMTs, ” 12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM-2017), Kirishima, Japan, August 28-31 (2017).
  21. (1678) M. Matys, S.Kaneki, B. Adamowicz, J. Kuzm´ık, and T. Hashizume: ” Analysis of temperature dependent frequency dispersion in C-V curves of Al2O3/AlGaN/GaN structures based on the disorder-induced gap-state model, “12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM-2017), Kirishima, Japan, August 28-31 (2017).
  22. (1679) K. Uemura, Y. Kumazaki, T. Sato, and T. Hashizume:”Highly-controllable etching for AlGaN/GaN recessed-gate structures utilizing low-damage electrochemical reactions,” 12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM-2017), Kirishima, Japan, August 28-31 (2017).
  23. (1680) M. Sasaki, H. Kameda, K. Tomioka, and J. Motohisa: ” Nanowire quantum dots emitting at telecom wavelength, “The 24th Congress of the International Commission for Optics (ICO-24), Tokyo, Japan, August 21 – 25 (2017).
  24. (1681) K. Tomioka, J. Motohisa, and T. Fukui: ” Vertical III-V nanowires on Si and transistor applications (Invited), “The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017), Kyoto, Japan, August 27 – September 1 (2017).
  25. (1682) A. Yoshida, Y. Minami, K. Tomioka, and J. Motohisa: ” Heterogeneous integration of vertical InGaAs nanowires on Ge (111) substrates by selective-area growth,”The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017), Kyoto,Japan, August 27 – September 1 (2017).
  26. (1683) K. Chiba, K. Tomioka, A. Yoshida, and J. Motohisa: ” Integration of InGaAs nanowires on Si(111) for optical devices, ” The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017), Kyoto, Japan, August 27 – September 1 (2017).
  27. (1684) K. Fukuda, J. Hattori, H. Asai, M. Shimizu, and T. Hashizume:”Simulation of GaN MOS capacitance with frequency dispersion and hysteresis, “International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Kamakura, Japan, September 7-9 (2017).
  28. (1685) Koichi Fukuda, Hidehiro Asai, Junichi Hattori, Mitsuaki Shimizu, and Tamotsu Hashizume: ” Transient-mode simulation of MOS C-V characteristics for GaN, ” 2017 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM2017), Sendai, Japan, September 26-29 (2017).
  29. (1686) T. Kadowaki, R. Kodaira, and S. Hara: ” Analysis of Bending Mechanism in MnAs/InAs Heterojunction Nanowires, ” 2017 International Conference on Solid- State Devices and Materials (SSDM2017), Sendai, Japan, September 26-29 (2017).
  30. (1687) M. Iida, R. Horiguchi, K. Morita, and S. Hara:”Magnetic Domain Characterizations of MnAs Nanoclusters on Si (111) Substrate, ” 2017 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM2017), Sendai, Japan, September 26-29 (2017).
  31. (1688) S. Matsumoto, M. Toguchi, and T. Sato: ” Removal of reactive-ion-etching damage from n-GaN surface using a photoelectrochemical process,”2017 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM2017), Sendai, Japan, September 26-29 (2017).
  32. (1689) Shinjiara Yamada, Hideki Sakurai, Masato Omori, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Tatsuya Oyobiki, Kenya Nishiguchi, Tamotsu Hashizume, and Tetsu Kachi: ” Electrical Characteristics of GaN MOS Diodes with Dry Etched-Surface, ” International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS2017), Nagoya, Japan, Sep. 29-Oct.1 (2017).
  33. (1690) K. Tomioka and T. Fukui: ” Transistor applications using vertical III-V nanowires on Si platform (Invited), “232nd ECS meeting, Washington DC, USA, October 1 – 5 (2017).
  34. (1691) X. Yin and S. Kasai:” Impact of Small Amount of Ni Atoms on Contact Resistance in Metal-Graphene System,”30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2017), Jeju, Korea, November 6-9 (2017).
  35. (1692) A. Yoshida, K. Chiba, Y. Minami, K. Tomioka, and J. Motohisa: ” Composition control of InGaAs nanowires on Ge(111) substrates by selective-area growth, “30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2017), Jeju, Korea, November 6-9 (2017).
  36. (1693) K. Chiba, A.Yoshida, K. Tomioka, and J. Motohisa: ” Demonstration of InGaAs nanowire array photodiode on Si,”30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2017), Jeju, Korea, November 6-9 (2017).
  37. (1694) R. Horiguchi, M. Iida, K. Morita, and S. Hara: ” Size-Dependent Magnetic Domain Structure in MnAs Nanoclusters Selectively Grown on Si (111) Substrates Covered with Different Dielectric Mask Designs,”the 2017 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA, November 26-December 1 (2017).
  38. (1695) R. Kodaira, T. Kadowaki, and S. Hara: ” Control of Bending Structures in MnAs/InAs Heterojunction Nanowires, ” the 2017 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA, November 26-December 1 (2017).
  39. (1696) P. Uredat, M. T. Elm, R. Kodaira, R. Horiguchi, P. J. Klar, and S. Hara:”Electrical Ttransport Properties of Single MnAs/InAs Hybrid Nanowires Grown by Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy, ” the 2017 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA, November 26-December 1 (2017).
  40. (1697) K. Tomioka, K. Chiba, A. Yoshida, and J. Motohisa: ” Radial modulation-doped nanowire channel for millivolt switch, “the 2017 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA, November 26-December 1 (2017).
  41. (1698) K. Chiba, A. Yoshida, K. Tomioka, and J. Motohisa: ” Vertical InGaAs nanowire photodiode array on Si, “the 2017 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA, November 26-December 1 (2017).
  42. (1699) M. Yoshioka and S. Hara: ” Construction of In-House Papers/Figures Database System for a Paticular Research Domain using PDFs – Application of Nano-Crystal Device Development Domain -, “the 2nd International Workshop on Scientific Document Analysis (SCIDOCA 2017), Tokyo, Japan, November 14-15 (2017).
  43. (1700) S. Nakazawa, H.-A. Shih, N. Tsurumi, Y. Anda, T. Hatsuda, T. Ueda, M. Nozaki, T. Yamada, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, and T. Hashizume: ” Fast Switching Performance by 20 A/730 V AlGaN/GaN MIS-HFET Using AlON Gate Insulator,” 63rd. International Electron Devices Meeting (IEDM-2017), San Francisco, USA, December 2-6 (2017).
  44. (1701) K. Sasaki, S. Okamoto, S. Tashiro, T. Asai, and S. Kasai: ” Characterization of stochastic charge dynamics of polyoxometalate dispersed on a GaAs-based nanowire FET,”International Workshop on Molecular Architectonics 2018, Toyonaka, Osaka, Japan, March 2-3 (2018).
  45. (1702) P. Uredat, R. Kodaira, R. Horiguchi, S. Hara, P. J. Klar, and M. T. Elm: ” Magnetotransport Measurements of Single MnAs/InAs Hybrid Nanowire, ” the 2018 German Physical Society (DPG) Spring Meeting (Berlin 2018), Berlin, Germany, March 11-16 (2018).

競争的研究資金

政府・民間からの助成金

政府・民間からの助成金
（金額は平成 29年度分）

  1. NEDO 戦略的イノベーション推進プログラム, 平26～30 年, GaN 縦型パワーデバイスの基盤技術開発「GaN MOS界面物性の解明およびプロセス技術の開発」, 橋詰保，17,250 千円．
  2. 国立研究開発法人科学技術振興機構戦略的国際共同研究プログラム（SICORP）, 平成27～30年, GaN 縦型パワーデバイスの基盤技術開発「高い安定性を有するGaN-MOS トランジスタスイッチ」, 橋詰保，6,256 千円．
  3. 総務省戦略的情報通信研究開発推進事業（SCOPE）重点領域型研究開発（ICT イノベーション創出型）（フェーズII）, 平成28 年度, 「高速マルチサンプリング超解像CMOS テラヘルツイメージングデバイスの研究開発」（研究代表者: 池辺将之）, 研究分担者：佐野栄一,3,678 千円.
  4. 文部科学省科学技術試験研究委託事業, 平成28～32 年度,「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発(パワーデバイス・システム領域)」（研究代表者: 加地徹）, 研究分担者：赤澤正道, 佐藤威友, 13,000 千円.
  5. 公益財団法人 村田学術振興財団：平成28 年度研究助成（自然科学）, 平成28～29 年度,「ナノワイヤ異種集積技術に基づくGe/III-V ハイブリッド電子デバイスの創成」, 冨岡克広,1,950 千円．
  6. 公益財団法人 マツダ財団：第32 回(2016 年度) マツダ研究助成, 平成28～29 年度, 「ナノワイヤ異種集積技術に基づくGe/III-V ハイブリッド電子デバイスの創成」, 冨岡克広, 1,000千円．
  7. 公益財団法人 カシオ科学振興財団：第34 回(2016 年度) 研究助成, 平成28～29 年度, 「新しい半導体接合による低電圧スイッチ素子応用と高性能化に関する研究」, 冨岡克広, 5,000千円．
  8. 公益財団法人 矢崎科学技術振興記念財団：第34 回(2016 年度) 一般研究助成（新材料）,平成28 年度～31 年度, 「高品質狭ギャップ化合物半導体ナノワイヤ材料の創生と省エネルギー電子素子応用」, 冨岡克広, 2,000 千円．
  9. 一般財団法人 サムコ科学技術振興財団：第1 回薄膜に関する研究助成, 平成28 年度～29年度, 「高品質狭ギャップ半導体ナノワイヤ材料の創生と低電圧電子素子応用」, 冨岡克広, 2,000 千円．

共同研究

共同研究
（金額は平成 29年度分）

  1. 民間との共同研究（住友電気工業），「GaN トランジスタの接合界面制御による性能向上に関する研究」，代表者：橋詰保，900 千円．
  2. 民間との共同研究（三菱電機），「GaN 異種接合の界面評価とトランジスタ応用」，代表者：橋詰保，455 千円．
  3. 民間との共同研究（サイオクス），「GaN 系ヘテロ構造の表面・界面評価に関する研究」，代表者：橋詰保，1,000 千円．
  4. 民間との共同研究（JNC），「カーボンナノチューブ複合材料を用いた電磁波吸収材料の研究」，代表者：佐野栄一，1,000 千円．
  5. 民間との共同研究（大日本印刷），「微細ランダム構造体のセキュリティ認証手法の開発」，代表者：葛西誠也，1,800 千円．
  6. 民間との共同研究（オルガノ），「III-V 族化合物半導体の酸化腐食に関する研究」，代表者：佐藤威友，950 千円．

科学研究費補助金

科学研究補助金
（金額は平成 29年度分）

  1. 科学研究費補助金新学術領域研究(研究領域提案型), 平成28～32 年度,「特異構造を含む異種接合の界面制御と電子デバイス展開」，代表者：橋詰保，8,500 千円．
  2. 科学研究費補助金新学術領域研究(研究領域提案型), 平成29～31 年度,「窒化ガリウム系ナノワイアによる縦型FET の作製と評価」，代表者：本久順一，1,950 千円．
  3. 科学研究費補助金新学術領域研究（領域提案型），平成25～29 年度，「分子アーキテクトニクス：単一分子の組織化と新機能創成」計画研究「単一分子集積ネットワークによる情報処理機能実装と信頼性向上」，代表者：葛西誠也，9,900 千円．
  4. 科学研究費補助金若手研究(A), 平成28 年～平成30 年度, 「IV 族/III-V 族ヘテロ接合の界面欠陥制御に基づく低電圧スイッチ素子の回路応用」, 代表者：冨岡克広, 8,190 千円.
  5. 科学研究費補助金基盤研究(B)，平成29 年～31 年度，「半導体ナノワイヤによるSi 基板上発光デバイスの研究」，代表者：本久順一, 7,930 千円.
  6. 科学研究費補助金基盤研究(B)，平成29 年～31 年度，「シリコン上の縦型ナノワイヤスピントランジスタのボトムアップ集積」，代表者：原真二郎, 8,060 千円.
  7. 科学研究費補助金基盤研究(B)，平成29 年～31 年度，「自己停止酸化機構を利用した窒化物半導体低損傷加工プロセスの開発とトランジスタ応用」，代表者：佐藤威友, 8,710 千円.
  8. 科学研究費補助金挑戦的萌芽研究，平成28 年～29 年度，「半導体ナノワイヤを用いた新型光検出器」，代表者：本久順一, 1,170 千円.
  9. 科学研究費補助金挑戦的萌芽研究，平成28 年～30 年度，「金属短針誘起電流雑音計測による半導体単一電子トラップ評価」，代表者：葛西誠也，600 千円.
  10. 科学研究費補助金挑戦的萌芽研究，平成28～30 年度，「シリコン上の縦型ナノワイヤスピンLED のボトムアップ作製」，代表者: 原真二郎，1,430 千円.
  11. 科学研究費補助金挑戦的萌芽研究，平成27～29 年度，「窒化物半導体周期的ナノ構造を基盤とした可視光応答型光触媒の開発と人工光合成応用」，代表者：佐藤威友，1,040 千円.
  12. 科学研究費補助金基盤研究（C），平成27～29 年度，「高温熱処理アルミナ超薄膜による絶縁体/窒化インジウムアルミニウム界面の制御と応用」，代表者：赤澤正道，1,720 千円．

知的財産権

特許登録

特許登録

  1. 日本国特許出願2017-232745「電磁波吸収体」発明者：佐野栄一, 小島峻吾, 長岡宏一, 松本俊寛.
  2. 日本国特許出願2017-043388「個体認証用半導体チップ, 個体認証媒体および個体認証方法」発明者：法元盛久, 有塚祐樹, 大八木康之, 葛西誠也, 松本勉, 成瀬誠, 竪直也.
  3. 台湾特許出願106142273「個体認証用半導体チップ, 個体認証媒体および個体認証方法」発明者：法元盛久, 有塚祐樹, 大八木康之, 葛西誠也, 松本勉, 成瀬誠, 竪直也.

自己点検評価

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