研究活動・業績

2015年度

研究業績

学会誌論文

学会誌論文等：17件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (1360) S. Inoue, R. Kuroda, X. Ying, M. Sato, and S. Kasai: “Detection of molecular charge dynamics through current noise in a GaAs-based nanowire FET,” Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 55, pp.04DN07-1-5 (2015).
  2. (1361) K. Hiraishi, T. Wada, K. Kubo, Y. Otsu, M. Ikebe, and E. Sano: “Low-power, small-size transmitter module with metamaterial antenna,” Analog Integrated Circuits and Signal Processing, Vol. 83, No. 1, pp. 1-9 (2015).
  3. (1362) M. Aono, S. Kasai, S.-J. Kim, M. Wakabayashi, H. Miwa, and M. Naruse: “Amoeba-inspired nanoarchitectonic computing implemented using electrical Brownian ratchets,” Nanotechnology, Vol. 26, pp.234001-1-8 (2015).
  4. (1363) X. Yin, M. Sato, and S. Kasai: “Analysis on Non-ideal Nonlinear Characteristics of Graphene-based Three-branch Nano-junction Device,” IEICE Trans. Electron., Vol. E98C, pp.434-438 (2015).
  5. (1364) Z. Yatabe, J. T. Asubar, T. Sato, and T. Hashizume: “Interface trap states in Al2O3/AlGaN/GaN structure induced by inductively coupled plasma etching of AlGaN surfaces,” Physica Status Solidi (a), Vol. 212, No.5, 1075-1080 (2015).
  6. (1365) Y. Abe, R. Kuroda, X. Yin, M. Sato, T. Tanaka, and S. Kasai: “Structural parameter dependence of directed current generation in GaAs nanowire-based electron Brownian ratchet devices,” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 54, p 06FG02-1-4 (2015).
  7. (1366) Y. Sun, K. Ashida, S. Sasaki, M. Koyama, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, I. Iniquez-de-la-Torre, and T. Gonzalez: “Fabrication and Characterization of Fully Transparent ZnO Thin-Film Transistors and Self-Switching Nano-Diodes,” J. Phys. Conf. Series, Vol. 647, pp.012068-1-4 (2015).
  8. (1367) Shinjiro Hara and Keita Komagata: “Selective-area Growth and Magnetic Reversals of Ferromagnetic Nanoclusters on Semiconducting Substrate for Magnetic Logic Applications,” Phys. Status Solidi B, Vol. 252, No. 9, pp. 1925-1933 (2015).
  9. (1368) 成瀬誠, 青野真士, 葛西誠也, 堀裕和, Serge Huant, 金成主:「フォトニックインテリジェンス（解説）」, フォトニクスニュース, 第１巻, 第２号, pp. 51-57 (2015).
  10. (1369) H. Tanaka, R. Arima, M. Fukumori, D. Tanaka, R. Negishi, Y. Kobayashi, S. Kasai, T. Yamada, and T. Ogawa: “Method for Controlling Electrical Properties of Single-Layer Graphene Nanoribbons via Adsorbed Planar Molecular Nanoparticles,” Sci. Rep., Vol. 5, pp.12341-1-10 (2015).
  11. (1370) Shinya Sakita, and Shinjiro Hara: “Growth of AlGaAs Nanostructures on Crystallized Al2O3 Interlayers for Semiconducting Nanowire Growth on Glass Substrate,” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 54, No. 7, pp.075504-1-8 (2015).
  12. (1371) J. T. Asubar, Y. Kobayashi, K. Yoshitsugu, Z. Yatabe, H. Tokuda, M. Horita, Y. Uraoka, T. Hashizume, and M. Kuzuhara: “Current Collapse Reduction in AlGaN/GaN HEMTs by High Pressure Water Vapor Annealing,” IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 62, pp. 2423-2428 (2015).
  13. (1372) Thaer M. Dieb, Masaharu Yoshioka, Shinjiro Hara, and Marcus C. Newton: “Framework for Automatic Information Extraction from Research Papers on Nanocrystal Devices,” Beilstein J. Nanotechnol., Vol. 6, pp. 1872-1882 (2015).
  14. (1373) Katsuhiro Tomioka, Fumiya Ishizaka, and Takashi Fukui: “Selective-area growth of InAs nanowires on Ge and vertical transistor application,” Nano Letters, Vol. 15, pp.7253-7257 (2015).
  15. (1374) K. Tomioka, J. Motohisa, and T. Fukui: “Surrounding-Gate Tunnel FET Using InAs/Si Heterojunction,” ECS Transactions, Vol. 69, No.2, pp.109-118 (2015).
  16. (1375) T. Sato, H. Kida, Y. Kumazaki, and Z. Yatabe: “Bias-dependent Photoabsorption Properties of GaN Porous Structures under Back-side Illumination,” ECS Transactions, Vol. 69, No. 2, pp.161-166 (2015).
  17. (1376) Martin Fischer, Matthias T. Elm, Hiroaki Kato, Shinya Sakita, Shinjiro Hara, and Peter J. Klar: “Analysis of Magnetic Random Telegraph Noise in Individual Arrangements of A Small Number of Coupled MnAs Nanoclusters,” Phys. Rev. B, Vol. 92, No. 16, pp.165306-1-7 (2015).
  18. (1377) D. Uchida, M. Ikebe, J. Motohisa, and E. Sano: “Low-power single-slope analog-to-digital converter with intermittently working time-to-digital converter,” J. Signal Processing, Vol. 19, No. 6, pp. 219-226 (2015).
  19. (1378) J. T. Asubar, Y. Sakaida, S. Yoshida, Z. Yatabe, H. Tokuda, T. Hashizume, and M. Kuzuhara: “Impact of oxygen plasma treatment on the dynamic on-resistance of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors,” Applied Physics Express, Vol.8, pp.111001-1-4 (2015).
  20. (1379) T. Sato, Y. Kumazaki, H. Kida, A. Watanabe, Z. Yatabe, and S. Matsuda: “Large Photocurrents in GaN Porous Structures with a Redshift of the Photoabsorption Edge,” Semiconductor Science and Technology, Vol.31, No.1, pp.014012-1-6 (2016).
  21. (1380) M. Sato, X. Yin, R. Kuroda, and S. Kasai: “Detection of discrete surface charge dynamics in GaAs-based nanowire through metal-tip-induced current fluctuation,” Jpn. J. Appl. Phys., Vol.55, pp. 02BD01-1-5 (2016).
  22. (1381) Shinya Sakita, Shinjiro Hara, Matthias T. Elm, and Peter J. Klar: “Selective-Area Growth and Magnetic Characterization of MnAs/AlGaAs Nanoclusters on Insulating Al2O3 Layers Crystallized on Si (111) Substrates,” Appl. Phys. Lett., Vol. 108, No. 4, pp.043108-1-5 (2016).
  23. (1382) T. Itatsu, E. Sano, Y. Yabe, V. Ryzhii, and T. Otsuji: “Enhanced terahertz emission from monolayer graphene with metal mesh structure,” Materials Today: Proceedings, Vol. 3, pp. S221-S226 (2016).
  24. (1383) Yoshihiro Hiraya, Fumiya Ishizaka, Katsuhiro Tomioka, and Takashi Fukui: “Crystal phase transition to green emission wurtzite AlInP by crystal structure transfer,” Applied Physics Express, Vol.9, pp. 035502-1-4 (2016).
  25. (1384) T. Sato, Y. Kumazaki, M. Edamoto, M. Akazawa, and T. Hashizume: “Interface control technologies for high-power GaN transistors: Self-stopping etching of p-GaN layers utilizing electrochemical reactions (invited),” Gallium Nitride Materials and Devices XI, pp. 97480Y-1-7 (2016).

著書

著書 ：3件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (43) S. Kasai, R. Wakamiya, Y. Abe, M. Aono, M. Naruse, H. Miwa, and S.-J. Kim:”Physarum-Inspired Electronic and Nanoelectronic Computing Systems,”Advances in Physarum Machines -Sensing and Computing with Slime Mould-, Emergence, Complexity and Computation Vol. 21, Ed. A. Adamatzky, Springer, Switzerland, pp.109-132 (2015).
  2. (44) 佐野栄一: 「ナノカーボン複合材料の導電率, 誘電率と電磁波吸収性能評価」,「電気特性評価」, 技術情報協会, 東京, pp. 375-380 (2015).
  3. (45) E. Sano, T. Tanaka, and M. Imai: ” Fabrication and characterization of carbon nanotube/cellulose composite paper, ” in Handbook of Polymer Nanocomposites. Processing, Performance and Application Volume B: Carbon Nanotube Based Polymer Composites, K. K. Kar, J. K. Pandey, and S. K. Rana, Eds, Springer, pp. 195-211 (2015).

国内学会

国内学会における講演発表：６６件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (1310) 冨岡克広, 吉村正利, 中井栄治, 遠藤隆人, 石坂文哉, 池尻圭太郎, 福井孝志：「Si上のGaAs/InGaPコアマルチシェルナノワイヤ選択成長」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  2. (1311) 冨岡克広, 吉村正利, 福井孝志：「Si/InGaAsヘテロ接合によるトンネルトランジスタの作製」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  3. (1312) 石坂文哉, 池尻圭太郎, 冨岡克広, 福井孝志：「InGaPナノワイヤの選択成長と組成評価」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  4. (1313) 遠藤隆人, 中井栄治, 吉村正利, 冨岡克広, 福井孝志：「InPナノワイヤアレイの剥離とフレキシブル素子への応用」第73回応用物理学術講演会, 松山 (2012).
  5. (1314) 中井栄治, 吉村正利, 冨岡克広, 福井孝志：「InGaP/GaAsコアマルチシェルナノワイヤアレイ太陽電池」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  6. (1315) 吉村正利, 中井栄治, 冨岡克広, 福井孝志：「InP/AlInPナノワイヤアレイ太陽電池の改善と結晶解析」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  7. (1316) 池尻圭太郎, 石坂文哉, 冨岡克広, 福井孝志：「InPナノワイヤの双方向成長機構」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  8. (1317) 福井孝志, ホンヨンジュン：「van der Waals Heteroepitaxy of InAs Nanowires on Single-Layer Graphene」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  9. (1318) 小橋義典, 崎田晋哉, 原真二郎, 本久順一：「2段階MOVPE選択成長による極微細・位置制御InGaAsナノワイヤの形成」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  10. (1319) 柳瀬祥吾, 小橋義典, 池尻圭太郎, 原真二郎, 本久順一：「111A面上へのSA-MOVPE成長におけるInPナノワイヤの3方向成長」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  11. (1320) 堀祐臣, 橋詰保：「Al2O3/AlGaN/GaN HEMTの電気特性とMOS界面準位の評価」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  12. (1321) 東石直樹, 橋詰保：「電気化学プロセスによるAlGaNの表面制御」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  13. (1322) 金聖植, 堀祐臣, 橋詰保：「ICPエッチGaN表面に形成したMOS構造の界面制御」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  14. (1323) 中野智, 橋詰保：「自立基板上GaNエピ層に形成したショットキー接合の評価」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  15. (1324) 馬万程, 堀祐臣, 谷田部然治, 橋詰保：「AlGaN/GaNヘテロ構造に形成したMOS界面の評価」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  16. (1325) 神保亮平, 今井雄大, 谷田部然治, 佐藤威友:「ポリスチレン微小球の自己組織化配列とリソグラフィ技術を利用した半導体加工基板の作製」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  17. (1326) 熊崎祐介, 工藤智人, 谷田部然治, 佐藤威友:「pn接合基板上に形成したInP多孔質構造の光学応答特性の評価」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  18. (1327) 黒田亮太, 田中貴之, 佐藤将来, 葛西誠也:「GaAsナノワイヤFET集積しきい値論理回路の試作と評価」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  19. (1328) 今井裕理, 葛西誠也:「確率共鳴を利用した生体信号検出ナノデバイスの検討」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  20. (1329) 佐藤将来, 葛西誠也:「光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ３分岐接合デバイスの非線形特性評価」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  21. (1330) 殷翔, ファズリ　シャハリン, 葛西誠也：「グラフェン３分岐ナノ接合デバイスの試作とインバータ応用の検討」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  22. (1331) 小西敬太, 陽完治:「SiC上のエピタキシャルグラフェンへのスピン注入 (II)」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  23. (1332) 平木隆浩, 小西敬太, 石倉丈継, 陽完治:「半導体上への垂直磁化膜の作製と評価」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  24. (1333) 石倉丈継, Zhixin Cui, 陽完冶:「FM/InAsヘテロ構造におけるスピン注入の非局所検出」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  25. (1334) 崔志欣, Fauzia Jabeenb, J.-C. Harmandb, 陽完治:「δドープInP/InAs/InPコアシェルナノワイヤトランジスタの作製と評価」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  26. (1335) 中野拓真, 赤澤正道:「InAlN表面に対する弗化水素酸処理の効果」第73回応用物理学会学術講演会, 松山 (2012).
  27. (1336) 久保圭史, 高萩和宏, 池辺将之, 雨宮好仁, 佐野栄一:「低電力PWMクロックデータ再生回路」2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 富山 (2012).
  28. (1337) 和田敏輝, 高萩和宏, 池辺将之, 雨宮好仁, 佐野栄一:「60 GHz帯ディテクタの設計・評価」2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 富山 (2012).
  29. (1338) 大津雄太郎, 高萩和宏, 佐野栄一:「左手系小型アンテナの設計と評価」2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 富山 (2012).
  30. (1339) 田中遥, 佐野栄一:「多層グラフェンの導電率の温度依存性」2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 富山 (2012).
  31. (1340) 田中朋, 佐野栄一, 古月文志:「プレス加工カーボンナノチューブネットワークの低周波雑音」2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 富山 (2012).
  32. (1341) 綿貫雄仁, 田中朋, 佐野栄一, 古月文志:「カーボンファイバおよびCNT添加カーボンファイバの低周波雑音」2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 富山 (2012).
  33. (1342) 吉岡真治, Thaer Moustafa Dieb, 原真二郎：「ナノ知識探索プロジェクト：ナノデバイス開発記録からの知識発見」Designシンポジウム2012, 京都 (2012).
  34. (1343) 冨岡克広, 吉村正利, 中井栄治, 遠藤隆人, 福井孝志：「III-V族化合物半導体ナノワイヤ選択成長と太陽電池応用（招待講演）」第42回結晶成長国内会議 (NCCG-42), 春日 (2012).
  35. (1344) 冨岡克広, 福井孝志：「III-V族化合物半導体ナノワイヤ成長と応用（招待講演）」第42回結晶成長国内会議 (NCCG-42), 春日 (2012).
  36. (1345) 神保亮平, 渡部晃生, 佐藤威友:「InP多孔質構造孔壁表面の機能化による光電変換素子への応用」第48回応用物理学会北海道支部/第９回日本光学会北海道地区合同学術講演会, 釧路 (2013).
  37. (1346) 藤曲央武, 崎田晋哉, 原真二郎：「MnAsナノクラスタ及びInAsナノワイヤによるヘテロ構造の選択成長と構造評価」第48回応用物理学会北海道支部/第９回日本光学会北海道地区合同学術講演会, 釧路 (2013).
  38. (1347) 崎田晋哉, 藤曲央武, 原真二郎：「SA-MOVPE法によるAl2O3絶縁膜上のAlGaAsナノ構造の成長と評価」第48回応用物理学会北海道支部/第９回日本光学会北海道地区合同学術講演会, 釧路 (2013).
  39. (1348) 阿部遊子, 田中貴之, 葛西誠也：「電子的ブラウンラチェットに向けた複数非対称ゲートナノワイヤ素子の作製と評価」第48回応用物理学会北海道支部/第９回日本光学会北海道地区合同学術講演会, 釧路 (2013).
  40. (1349) 葛西誠也, 田所幸浩, 一木輝久:「最適非線形素子による低SN比信号検出の実験実証」2013年電子情報通信学会総合大会, 岐阜 (2013)．
  41. (1350) 金基秀, 内田大輔, 池辺将之, 本久順一, 佐野栄一:「11bit 5.1 μW複数位相型TDC付きマルチスロープADC」2013年電子情報通信学会総合大会, 岐阜 (2013)．
  42. (1351) 平石一貴, 和田敏輝, 久保圭史, 大津雄太郎, 池辺将之, 佐野栄一:「無線センサ用低電力小型送信モジュール」2013年電子情報通信学会総合大会, 岐阜 (2013)．
  43. (1352) 大津雄太郎, 久保圭史, 池辺将之, 佐野栄一:「2.4 GHz帯整流回路の試作と評価」2013年電子情報通信学会総合大会, 岐阜 (2013)．
  44. (1353) 田中遥, 佐野栄一:「CVD成長単層グラフェンFETの伝導機構」2013年電子情報通信学会総合大会, 岐阜 (2013)．
  45. (1354) 田中朋, 佐野栄一, 古月文志:「CNT Buckypaperの伝導機構」2013年電子情報通信学会総合大会, 岐阜 (2013)．
  46. (1355) 綿貫雄仁, 田中朋, 佐野栄一, 古月文志:「炭素繊維およびCNT添加炭素繊維の低周波雑音 (その2)」2013年電子情報通信学会総合大会, 岐阜 (2013)．
  47. (1356) 谷田部然治, 堀祐臣, 馬万程, 橋詰保：「ドライエッチングがAlGaN/GaN MOS構造の界面に与える影響」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  48. (1357) 赤澤正道, 橋詰保：「InAlN/GaNヘテロ構造の表面・界面の評価と制御 (招待講演)」第60回応用物理学関係連合講演会シンポジウム, 厚木 (2013).
  49. (1358) 堀祐臣, 谷田部然治, 橋詰保：「AlGaN/GaN MOS-HEMTの電気特性とヘテロMOS界面評価」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  50. (1359) 馬万程, 堀祐臣, 谷田部然治, 橋詰保：「緩衝層がGaN接合特性に与える影響」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  51. (1360) 熊崎祐介, 渡部晃生, 谷田部然治, 神保亮平, 佐藤威友:「電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光学特性の評価」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  52. (1361) 藤曲央武, 崎田晋哉, 原真二郎：「InAsナノワイヤ上の強磁性体MnAsナノクラスタ複合構造の作製と評価」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  53. (1362) 崎田晋哉, 藤曲央武, 原真二郎：「MOVPE選択成長法によるAl2O3絶縁膜上のAlGaAsナノワイヤの作製と評価」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  54. (1363) 小橋義典, 原真二郎, 本久順一：「InGaAsナノワイヤの選択成長におけるV/III比の影響」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  55. (1364) 佐藤将来, 葛西誠也：「SiNx膜を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの表面状態と非線形動作機構の関連性についての検討」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  56. (1365) 黒田亮太, 葛西誠也：「SiN/AlGaAs/GaAsナノワイヤFETのしきい値制御」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  57. (1366) 葛西誠也, 田中貴之, 今井裕理：「ゆらぎとエネルギー散逸を利用する非平衡電子デバイス」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  58. (1367) 冨岡克広, 吉村正利, 福井孝志：「InAs/Siヘテロ接合を用いたp型トンネルFETの試作」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  59. (1368) 吉村正利, 中井栄治, 冨岡克広, 福井孝志：「ITO/p-InPヘテロ接合ナノワイヤアレイ太陽電池」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  60. (1369) 小西敬太, 陽完治：「SiC上のエピタキシャルグラフェンへのスピン注入 (III)」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  61. (1370) 平木隆浩, 石倉丈継, 小西敬太, 崔志欣, 陽完治：「半導体上への垂直磁化膜の作製と評価 (2)」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  62. (1371) 石倉丈継, Lennart-Knud Liefeith, 崔志欣, 小西敬太, 陽完治：「NiFe/MgOからInAs量子井戸構造におけるスピン注入の高効率化」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  63. (1372) 崔志欣, Jabeen Fauzia, Harmand Jean-christophe, 陽完治：「δドープInP/InAs/InPコアシェルナノワイヤにおける電子スピン伝導の評価」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  64. (1373) Lennart-Knud Liefeith, 石倉丈継, 崔志欣, 陽完治：「High spin injection without tunnel barrier is possible?」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  65. (1374) Rajagembu Perumal, 陽完治：「Palladium assisted growth of InAs nanowires by Molecular Beam Epitaxy」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).
  66. (1375) 中野拓真, 赤澤正道:「ALD-Al2O3/InAlN界面に対する熱処理の効果」第60回応用物理学関係連合講演会, 厚木 (2013).

研究会等

研究会等における講演：２０件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (1681) 岡本翔真, 黒田亮太, 葛西誠也:「GaAs ナノワイヤFET を用いたポルフィリン系分子電荷状態検出の検討」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).
  2. (1682) 劉柏麟, 葛西誠也, 殷翔, 山田豊和, 小川琢治, 福森稔, 田中啓文: 「SWNT とDWNT アンジップ単層グラフェンナノリボンのクロス構造の作製と電気特性」第76回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).
  3. (1683) 崎田晋哉，原真二郎：「Al2O3 絶縁膜上の横型MnAs ナノワイヤの作製と評価」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).
  4. (1684) 小平竜太郎，椛本恭平，崎田晋哉，原真二郎：「MnAs/InAs ダブルヘテロ接合ナノワイヤの作製と評価」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).
  5. (1685) 亀田滉貴，柳瀬祥吾，冨岡克広，原真二郎，本久順一：「PL 測定によるInP ナノワイヤの結晶構造転移の観測」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).
  6. (1686) 冨岡克広，石坂文哉，福井孝志：「InGaAs-InP コアシェルナノワイヤ/Si トンネルFET のスイッチ特性改善」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).
  7. (1687) 平谷佳大，石坂文哉，冨岡克広，福井孝志：「結晶構造転写によるAlInP のウルツ鉱構造への結晶相転移」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).
  8. (1688) 石坂文哉, 平谷佳大, 冨岡克広, 福井孝志：「ウルツ鉱構造InP/AlInP コアシェルナノワイヤの作製と評価(招待講演)」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).
  9. (1689) 枝元将彰, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友：「裏面光照射電気化学法によるGaN 陽極酸化表面の分析」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).
  10. (1690) 熊崎祐介, 近江沙也夏, 谷田部然治, 佐藤威友：「Cu2O/GaN ヘテロ構造の電気化学形成と光学的特性評価」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).
  11. (1691) 喜田弘文, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友：「光触媒水分解システムを用いたn-GaN多孔質構造の光電気化学的評価」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).
  12. (1692) 近江沙也夏, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友：「電気化学堆積法によるCu2O/InPヘテロ構造の形成と特性評価」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).
  13. (1693) 清野惇，赤澤正道：「プラズマCVD により形成されたSiO2/InAlN 界面の評価」第76 回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋(2015).
  14. (1694) 佐々木健太郎, 黒田亮太, 殷翔, 佐藤将来, 葛西誠也:「微小電荷空間分布検出半導体デバイスの基礎的検討」2015 年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 仙台(2015)．
  15. (1695) 冨岡克広, 本久順一, 福井孝志：「半導体ナノワイヤ異種集積技術とデバイス応用(招待講演)」2015 年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 仙台(2015).
  16. (1696) 福井孝志, 石坂文哉, 平谷佳大, 冨岡克広：「結晶構造転写によるGaP 系混晶の直接遷移型ウルツ鉱への相転移(招待講演）」第45 回結晶成長国内会議, 札幌(2015).
  17. (1697) 冨岡克広, 本久順一, 福井孝志：「【展望講演】化合物半導体ナノワイヤのヘテロエピタキシャル成長と展望(招待講演）」第47 回秋季化学工学会, 札幌(2015).
  18. (1698) 位田祐基, 葛西誠也:「マン－マシンインターフェースにむけたロバストな確率共鳴筋電信号検出技術の開発」STARC フォーラム, 新横浜(2015)．
  19. (1699) 佐々木健太郎, 黒田亮太, 殷翔, 佐藤将来, 葛西誠也:「多重ゲートナノワイヤFETを用いた微小電荷空間分解検出デバイスの基礎的検討」第５１回応用物理学会北海道支部/第１２回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 札幌(2016)．
  20. (1700) 阿部晃貴, 佐々木健太郎, 葛西誠也:「ナノ人工物メトリクスに向けた表面ナノ構造電気的読出しに関する基礎的検討」平成27 年度IEICE 北海道支部学生会インターネットシンポジウム, ネットワーク開催(2016).
  21. (1701) 斉藤健太, 若宮寮, 葛西誠也:「粘菌アメーバ型最適化問題解探索電子システムの再構成・大規模化の検討」平成27 年度IEICE 北海道支部学生会インターネットシンポジウム, ネットワーク開催(2016).
  22. (1702) 位田祐基, 白田健人, 葛西誠也:「ジェスチャー識別のための確率共鳴筋電信号検出システムの検討」2016 年電子情報通信学会総合大会, 福岡(2016).
  23. (1703) 川内偉博, 佐野栄一:「標準CMOS プロセスを用いたミリ波帯メタマテリアルアンテナ」2016 年電子情報通信学会総合大会, 福岡(2016).
  24. (1704) 脇田幸典, 池辺将之, 佐野栄一:「CMOS テラヘルツイメージングディテクタの設計」2016 年電子情報通信学会総合大会, 福岡(2016).
  25. (1705) 宮島卓也, 板津太郎, 杉目恒志, ステファヌス・アルノード, 尾辻泰一, 佐野栄一:「光照射カーボンナノチューブフォレストのテラヘルツ応答」2016 年電子情報通信学会総合大会, 福岡(2016).
  26. (1706) 近江沙也夏:「電気化学的手法によるCu2O/InP ヘテロ界面形成と光学特性評価」第2 回界面ナノ若手ポスター発表展, 横浜, (2016).
  27. (1707) 喜田弘文:「MOD法によるGaN 表面へのNiO 粒子の形成と調査」第2 回界面ナノ若手ポスター発表展, 横浜, (2016).
  28. (1708) 西口賢弥, 橋詰保:「高温アニールプロセスがGaN MOSFET 特性に与える影響」第６３回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).
  29. (1709) 佐藤将来, 殷翔, 黒田亮太, 葛西誠也:「金属探針を用いたGaAs ナノワイヤ表面局所電位変調による表面電子トラップの検出と評価」第６３回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).
  30. (1710) 黒田亮太, 佐藤将来, 葛西誠也:「高精度デジタルウェットエッチング技術によるGaAsナノ構造形成」第６３回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).
  31. (1711) 岡本翔真, 黒田亮太, 葛西誠也:「単一分子識別に向けた静電塗布法による分子表面分散の検討」, 第６３回応用物理学会春季学術講演会, 2016 年3 月19 日-22 日, 東京工業大学（東京）.
  32. (1712) 藤井逸人, Setiadi Agung, 赤井恵, 葛西誠也, 金井康, 松本和彦, 桑原裕司:「単分子吸着によって発現するカーボンナノチューブ素子におけるランダムテレグラフシグナルノイズ」, 第６３回応用物理学会春季学術講演会, 2016 年3 月19 日-22 日, 東京工業大学（東京）.
  33. (1713) 孫屹, 芦田浩平, 松田宗平, 小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦, 葛西誠也:「酸化亜鉛を用いた透明セルフスイッチングナノダイオードの作製と評価」, 第６３回応用物理学会春季学術講演会, 2016 年3 月19 日-22 日, 東京工業大学（東京）.
  34. (1714) 劉柏麟, 葛西誠也, 殷翔, 山田豊和, 小川琢治, 福森稔, 田中啓文:「DWNT アンジップ単層グラフェンナノリボンのクロス構造の作製電気特性の角度依存性評価」, 第６３回応用物理学会春季学術講演会, 2016 年3 月19 日-22 日, 東京工業大学（東京）.
  35. (1715) 福井孝志, 平谷佳大, 石坂文哉, 冨岡克広：「GaN(10-10) 上へのウルツ鉱構造AlInPの成長と緑色発光」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).
  36. (1716) 冨岡克広, 石坂文哉, 本久順一, 福井孝志：「変調ドープ構造InGaAs ナノワイヤ/SiトンネルFET の作製」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).
  37. (1717) 吉田旭伸, 冨岡克広, 石坂文哉, 千葉康平, 本久順一, 福井孝志：「Ge(111) 基板上InGaAs ナノワイヤ選択成長」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).
  38. (1718) 小平竜太郎，椛本恭平，崎田晋哉，原真二郎：「MnAs/InAs ダブルヘテロ接合ナノワイヤの成長メカニズム(招待講演)」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).
  39. (1719) 椛本恭平，小平竜太郎，崎田晋哉，原真二郎：「MnAs/InAs ヘテロ接合ナノワイヤの磁区構造評価」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).
  40. (1720) 熊崎祐介，松本悟，佐藤威友：「異方性ウェットエッチングによるGaN 多孔質構造の作製と光学特性評価」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).
  41. (1721) 枝元将彰，熊崎祐介，佐藤威友：「光電気化学反応を利用したGaN 表面の陽極酸化」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).
  42. (1722) 喜田弘文，伊藤圭亮，熊崎祐介，佐藤威友：「金属有機化合物分解法によるGaN 表面へのNiO 粒子の形成」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).
  43. (1723) 近江沙也夏，熊崎祐介，佐藤威友：「電気化学堆積法によるCu2O/InP ヘテロ界面の形成」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).
  44. (1724) 張笑逸, 伊藤圭亮, 喜田弘文, 熊崎祐介, 佐藤威友: ” Fabrication of GaN Porous Structures Using Photo-Electrochemical Etching and Electrode Response, ” 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).
  45. (1725) 清野惇，長谷崎泰斗，横田直茂，赤澤正道：「プラズマCVD SiO2/InAlN 界面へのAl2O3 超薄膜層挿入の効果」第63 回応用物理学会春季学術講演会, 東京(2016).

研究会等

研究会等における講演：11件
(カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)

  1. (292) 橋詰保, 西口賢弥, 谷田部然治:「界面電子準位とGaN パワーデバイスの動作安定性」半導体界面制御技術第154 委員会第95 回研究会, 東京(2105).
  2. (293) 熊崎祐介, 渡部晃生, 谷田部然治, 佐藤威友:「分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用」電子情報通信学会電子デバイス研究会, 豊橋,(2105).
  3. (294) 谷田部然治, 橋詰保:「Al2O3/AlGaN/GaN 構造の界面電子準位評価」電子情報通信学会シリコン材料デバイス研究会/シリコンテクノロジー分科会合同研究会, 名古屋(2105).
  4. (295) 喜田弘文, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友:「電気化学的手法によるGaN 多孔質構造の形成と紫外光応答特性」電子情報通信学会電子デバイス研究会/電気学会フィジカルセンサ/バイオ・マイクロシステム合同研究会, 東京(2105).
  5. (296) 位田祐基, 白田健人, 大矢剛嗣, 葛西誠也:「確率共鳴と多重表面電極を組み合わせた安定表面筋電検出」電子情報通信学会電子デバイス研究会, 東京(2105).
  6. (297) 葛西誠也, 佐々木健太郎, 黒田亮太, 岡本翔真, 井上慎也, 小川琢治:「分子ネットワークにおける時空間分解電荷検出の基礎的検討」第6 回研究会分子アーキテクトニクス研究会, 京都(2105).
  7. (298) 田代省平, 殷翔, 佐々木健太郎, 塩谷光彦, 葛西誠也:「ナノリング分子からなる超分子ナノファイバーの電気伝導性評価に向けて」第6 回研究会分子アーキテクトニクス研究会, 京都(2105).
  8. (299) 橋詰保:「GaN MOS トランジスタの課題と界面制御」応用物理学会先進パワー半導体分科会第２回研究会, 大阪(2105).
  9. (300) 橋詰保:「GaN 異種接合界面の制御と先端HEMT 技術への応用」2015 年真空・表面科学合同講演会, つくば(2105).
  10. (301) 宮島卓也, 板津太郎, 杉目恒志, ステファヌス・アルノード, 尾辻泰一, 佐野栄一:「光照射カーボンナノチューブフォレストのテラヘルツ応答」電子情報通信学会電子デバイス研究会, 仙台(2105).
  11. (302) X. Yin, P. Liu, H. Tanaka, T. Maemoto, and S. Kasai: ” Nonlinear voltage transfer characteristics of a graphene three-branch nano-junction device and its control, “電子情報通信学会電子デバイス・シリコン材料デバイス合同研究会, 札幌(2106).

競争的研究資金

政府・民間からの助成金

（金額は平成 27年度分）

  1. 国立研究開発法人科学技術振興機構戦略的国際共同研究プログラム（SICORP）, 平26～30年, GaN 縦型パワーデバイスの基盤技術開発「高い安定性を有するGaN-MOS トランジスタスイッチ」橋詰保，23,000 千円．
  2. NEDO 戦略的イノベーション推進プログラム, 平26～30 年, GaN 縦型パワーデバイスの基盤技術開発「GaN MOS 界面物性の解明およびプロセス技術の開発」橋詰保，14,950 千円．
  3. 総務省戦略的情報通信研究開発推進事業（SCOPE）重点領域型研究開発（ICT イノベーション創出型）（フェーズI）, 平成27 年度, 「高速マルチサンプリング超解像CMOS テラヘルツイメージングデバイスの研究開発」（研究代表者: 池辺将之）, 研究分担者：佐野栄一, 3,988千円.
  4. 独立行政法人日本学術振興会二国間交流事業　共同研究, 平成26 年度～平成27 年度, 「ボトムアップ選択形成による新奇ナノワイヤ磁気エレクトロニクス素子の研究」, 日本側共同研究代表者:原真二郎　（相手国側共同研究代表者:　Dr. Matthias T. Elm) 2,250 千円．

共同研究

（金額は平成 27年度分）

  1. 民間との共同研究（住友電気工業），「接合評価に基づくGaN トランジスタの高性能化に関する研究」，代表者：橋詰　保，900 千円．
  2. 民間との共同研究（東芝），「窒化物半導体材料の界面制御とトランジスタ応用に関する研究」，代表者：橋詰　保，3,240 千円．
  3. 民間との共同研究（三菱電機），「GaN 異種接合の界面評価とトランジスタ応用」，代表者：橋詰　保，455 千円．
  4. 民間との共同研究（サイオクス），「GaN ヘテロ接合評価に関する研究」，代表者：橋詰　保，1,000 千円．
  5. 民間との共同研究（半導体理工学研究センター），「マン－マシンインターフェースの為の非侵襲型確率共鳴生体信号検出技術の開発」，代表者：葛西誠也，5,797 千円．
  6. 民間との共同研究（オルガノ），「III-V 族化合物半導体の酸化腐食に関する研究」，代表者：佐藤威友，950 千円．

科学研究補助金

（金額は平成 27年度分）

  1. 科学研究費補助金基盤研究（S），平成23～27 年度，「半導体ナノワイヤによる光デバイス応用」，代表者: 福井孝志, 18,275 千円．
  2. 科学研究費補助金特別推進研究，平成23～27 年度，「グラフェンテラヘルツレーザーの創出」，（研究代表者: 尾辻泰一），研究分担者：佐野栄一，2,300 千円．
  3. 科学研究費補助金新学術領域研究（領域提案型），平成25～29 年度，「分子アーキテクトニクス：単一分子の組織化と新機能創成」計画研究「単一分子集積ネットワークによる情報処理機能実装と信頼性向上」，代表者：葛西誠也，19,205 千円．
  4. 科学研究費補助金基盤研究（B），平成25～27 年度，「低損傷プロセスによる窒化物半導体表面のナノスケール制御と高感度化学センシング」，代表者：佐藤威友，2,990 千円．
  5. 科学研究費補助金基盤研究（C），平成27～29 年度，「高温熱処理アルミナ超薄膜による絶縁体/窒化インジウムアルミニウム界面の制御と応用」，代表者：赤澤正道，1,380 千円．
  6. 科学研究費補助金挑戦的萌芽研究，平成25～27 年度，「強磁性体ナノワイヤのボトムアップ形成による低消費電力磁気メモリの研究」，代表者：原真二郎，1,035 千円.
  7. 科学研究費補助金挑戦的萌芽研究，平成26～27 年度，「ナノ結晶デバイス開発論文からの情報抽出とその活用」，研究分担者：原真二郎（代表者: 吉岡真治），300 千円.
  8. 科学研究費補助金挑戦的萌芽研究，平成27～29 年度，「窒化物半導体周期的ナノ構造を基盤とした可視光応答型光触媒の開発と人工光合成応用」，代表者：佐藤威友，1,840 千円.
  9. 科学研究費補助金若手研究（B），平成27～29 年度，「絶縁膜/窒化物半導体界面の評価・制御とトランジスタ応用への基礎的研究」，代表者：谷田部然治，1,955 千円．

知的財産権

特許登録

  1. 韓国特許登録10-1549286「相補型論理ゲート装置」発明者：尾辻泰一、佐野栄一.
  2. 日本国特許登録　5818027「クロックデータ再生回路及びそれを含む無線モジュール」発明者：佐野栄一、雨宮好仁.
  3. 日本国特許登録　5761643「信号再生装置」発明者：葛西誠也.
  4. 日本国特許登録　5835771「論理回路」発明者：葛西誠也.
  5. 日本国特許登録　5900848 「信号再生装置及び信号再生方法」発明者：田所幸浩、一木輝久、葛西誠也.
  6. 米国特許登録　9287962 「信号再生装置及び信号再生方法」発明者：葛西誠也、田所幸浩、一木輝久.
  7. 日本国特許出願　2015-193196 「トンネル電界効果トランジスタ」発明者：冨岡克広, 福井孝志.

自己点検評価

自己点検評価書

量子集積エレクトロニクス 第１５巻より抜粋　(ダウンロード)

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